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VSe_2薄膜的光电性质及背接触特性的研究
1
作者
杨镓溢
高静静
+6 位作者
王文武
曾广根
李卫
冯良桓
张静全
武丽丽
黎兵
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期312-316,共5页
采用电子束蒸发法制备VSe2薄膜并进行退火处理,通过XRD、SEM、透过谱、Hall效应、电导率–温度关系等表征了薄膜的结构、形貌、光学和电学性质,用半导体特性测试仪研究了VSe2薄膜的背接触特性。结果表明:VSe2薄膜在一定的退火温度下结...
采用电子束蒸发法制备VSe2薄膜并进行退火处理,通过XRD、SEM、透过谱、Hall效应、电导率–温度关系等表征了薄膜的结构、形貌、光学和电学性质,用半导体特性测试仪研究了VSe2薄膜的背接触特性。结果表明:VSe2薄膜在一定的退火温度下结晶并呈稳定的六方相,VSe2薄膜为p型直接禁带跃迁材料,光能隙约2.35 eV。将VSe2作为背接触层应用于CdTe多晶薄膜太阳电池,消除了roll-over现象,有效提高了器件性能。
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关键词
背接触
VSe2薄膜
CdTe薄膜太阳电池
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职称材料
基于MATLAB的集成电路储能焊封装能量分布研究
2
作者
王旭光
杨镓溢
+1 位作者
江凯
邹佳
《电子与封装》
2022年第1期7-12,共6页
气密性是集成电路封装中的一项重要技术指标,对于集成电路的可靠性使用具有重要作用。就气密性封装工艺中的储能焊封装技术进行了讨论,通过对储能焊设备放电过程进行分析及建模,得到了气密性焊接能量与各个工艺参数之间的关系,并利用MAT...
气密性是集成电路封装中的一项重要技术指标,对于集成电路的可靠性使用具有重要作用。就气密性封装工艺中的储能焊封装技术进行了讨论,通过对储能焊设备放电过程进行分析及建模,得到了气密性焊接能量与各个工艺参数之间的关系,并利用MATLAB软件进行了模拟计算。结合具体实验,验证了理论建模及模拟的正确性,对于储能焊焊接的工艺参数设定及优化具有一定的指导意义。
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关键词
储能焊
电压
电阻
MATLAB
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职称材料
基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究
被引量:
3
3
作者
杨镓溢
王旭光
+1 位作者
秦文龙
杨亮亮
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第3期347-350,共4页
介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺。分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象。通过改变键合区金属层结构,实现...
介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺。分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象。通过改变键合区金属层结构,实现了单一金属化系统,有效避免了金属间化合物的形成。该项研究结果对陶瓷基薄膜HIC的工艺应用范围的拓宽具有参考价值。
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关键词
薄膜混合集成电路
金铝键合
层结构
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职称材料
用于高密度SMT系统的改进FMECA方法
4
作者
秦文龙
燕子鹏
+2 位作者
杨镓溢
杨亮亮
张颖
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第4期606-610,共5页
针对高密度SMT产品或系统中典型失效模式,提出了一种基于模糊集和灰色关联理论的改进FMECA方法。运用模糊集理论对SMT系统失效分析中的专家知识模糊语言进行定量评价,得到失效模式频度、严重度、探测度三个输入变量的非模糊数。采用灰...
针对高密度SMT产品或系统中典型失效模式,提出了一种基于模糊集和灰色关联理论的改进FMECA方法。运用模糊集理论对SMT系统失效分析中的专家知识模糊语言进行定量评价,得到失效模式频度、严重度、探测度三个输入变量的非模糊数。采用灰色关联理论计算各个失效模式的灰色关联度,再与改进控制限比较,确定了改进措施的必要性。与传统FMECA风险顺序数方法相比,该改进FMECA方法提高了应用的准确性和可靠性。
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关键词
SMT
FMECA
模糊集评价
灰色关联理论
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职称材料
石墨烯的发展现状
被引量:
4
5
作者
母志强
朱喆
+6 位作者
杨镓溢
杨雨梦
杨毓晋
李卫
冯良桓
张静全
武莉莉
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期422-430,共9页
简述了近几年来石墨烯的制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积法、溶液合成法、外延生长法.并对石墨烯的分数量子霍尔效应、透明性、掺杂特性等性质及应用作了概述.最后,对石墨烯未来的发展作了展望.
关键词
石墨烯
分数量子霍尔效应
透明性
石墨烯衍生物
原文传递
题名
VSe_2薄膜的光电性质及背接触特性的研究
1
作者
杨镓溢
高静静
王文武
曾广根
李卫
冯良桓
张静全
武丽丽
黎兵
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期312-316,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(2011CBA007008)
国家自然科学基金(61076058)~~
文摘
采用电子束蒸发法制备VSe2薄膜并进行退火处理,通过XRD、SEM、透过谱、Hall效应、电导率–温度关系等表征了薄膜的结构、形貌、光学和电学性质,用半导体特性测试仪研究了VSe2薄膜的背接触特性。结果表明:VSe2薄膜在一定的退火温度下结晶并呈稳定的六方相,VSe2薄膜为p型直接禁带跃迁材料,光能隙约2.35 eV。将VSe2作为背接触层应用于CdTe多晶薄膜太阳电池,消除了roll-over现象,有效提高了器件性能。
关键词
背接触
VSe2薄膜
CdTe薄膜太阳电池
Keywords
back contact
VSe2 thin films
CdTe thin film solar cells
分类号
TM910 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
基于MATLAB的集成电路储能焊封装能量分布研究
2
作者
王旭光
杨镓溢
江凯
邹佳
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《电子与封装》
2022年第1期7-12,共6页
文摘
气密性是集成电路封装中的一项重要技术指标,对于集成电路的可靠性使用具有重要作用。就气密性封装工艺中的储能焊封装技术进行了讨论,通过对储能焊设备放电过程进行分析及建模,得到了气密性焊接能量与各个工艺参数之间的关系,并利用MATLAB软件进行了模拟计算。结合具体实验,验证了理论建模及模拟的正确性,对于储能焊焊接的工艺参数设定及优化具有一定的指导意义。
关键词
储能焊
电压
电阻
MATLAB
Keywords
energy storage welding
voltage
resistance
MATLAB
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究
被引量:
3
3
作者
杨镓溢
王旭光
秦文龙
杨亮亮
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第3期347-350,共4页
文摘
介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺。分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象。通过改变键合区金属层结构,实现了单一金属化系统,有效避免了金属间化合物的形成。该项研究结果对陶瓷基薄膜HIC的工艺应用范围的拓宽具有参考价值。
关键词
薄膜混合集成电路
金铝键合
层结构
Keywords
thin film HIC
gold-aluminum bonding
interlaminar structure
分类号
TN44 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN405.96 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
用于高密度SMT系统的改进FMECA方法
4
作者
秦文龙
燕子鹏
杨镓溢
杨亮亮
张颖
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第4期606-610,共5页
文摘
针对高密度SMT产品或系统中典型失效模式,提出了一种基于模糊集和灰色关联理论的改进FMECA方法。运用模糊集理论对SMT系统失效分析中的专家知识模糊语言进行定量评价,得到失效模式频度、严重度、探测度三个输入变量的非模糊数。采用灰色关联理论计算各个失效模式的灰色关联度,再与改进控制限比较,确定了改进措施的必要性。与传统FMECA风险顺序数方法相比,该改进FMECA方法提高了应用的准确性和可靠性。
关键词
SMT
FMECA
模糊集评价
灰色关联理论
Keywords
SMT
FMECA
fuzzy set evaluation
grey correlation theory
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
石墨烯的发展现状
被引量:
4
5
作者
母志强
朱喆
杨镓溢
杨雨梦
杨毓晋
李卫
冯良桓
张静全
武莉莉
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期422-430,共9页
基金
国家自然科学基金(61076058)
四川省科技支撑计划(2008GZ0027)
文摘
简述了近几年来石墨烯的制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积法、溶液合成法、外延生长法.并对石墨烯的分数量子霍尔效应、透明性、掺杂特性等性质及应用作了概述.最后,对石墨烯未来的发展作了展望.
关键词
石墨烯
分数量子霍尔效应
透明性
石墨烯衍生物
Keywords
graphene, fractional quantum hall effect, transparency, graphene derivatives
分类号
O613.71 [理学—无机化学]
O4-1 [理学—物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
VSe_2薄膜的光电性质及背接触特性的研究
杨镓溢
高静静
王文武
曾广根
李卫
冯良桓
张静全
武丽丽
黎兵
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
2
基于MATLAB的集成电路储能焊封装能量分布研究
王旭光
杨镓溢
江凯
邹佳
《电子与封装》
2022
0
下载PDF
职称材料
3
基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究
杨镓溢
王旭光
秦文龙
杨亮亮
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
3
下载PDF
职称材料
4
用于高密度SMT系统的改进FMECA方法
秦文龙
燕子鹏
杨镓溢
杨亮亮
张颖
《微电子学》
CAS
北大核心
2020
0
下载PDF
职称材料
5
石墨烯的发展现状
母志强
朱喆
杨镓溢
杨雨梦
杨毓晋
李卫
冯良桓
张静全
武莉莉
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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