声表面波MZOS存储相关器/卷积器

本文报道中心频率为80MHz,带宽为7MHz,卷积效率达-57dBm的MZOS存储相关器;并分析、测量了该器件的结构和界面态密度,就界面态密度对存贮效应的影响作出讨论。文中还给出提高器件性能的几个方法。

氧化锌薄膜热退火特性的研究

对退火前后氧化锌薄膜的结构特性、化学组分及化学价态,以及缺陷特性进行了详尽的研究.结果表明,低温热退火是改善氧化锌薄膜结构特性、化学组分及化学价态,并且减少缺陷的良好方法.

SAW存贮相关器/卷积器亚系统的研制

与其它SAW器件相比,SAW存贮相关器/卷积器具有独特的性能——SAW存贮效应,因而在信号处理领域的应用潜力巨大。本文详细介绍了一种新的SAW存贮相关器/卷积器的写入、读出及擦去系统的原理和设计,举例说明其使用方法,并着重介绍其中一个重要部件——窄脉冲发生器。

单片式ZnO/Si pn结二极管存储相关器/卷积器

本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设计,制作方法和性能参数。器件的中心频率为77MHz,带宽为7MHz,互作用时间是5.2μs,卷积效率达-63dBm。把该器件用于扩频通信的解扩实验,证明抗干扰能力强。最后提出了改进性能的方法和措施。

单片式ZnO/Si SAW卷积器/相关器初探

声表面波(SAW)卷积器/相关器是扩频通信讯系统的关键部件。它可用作改善扩频通信系统信噪比的匹配滤波器元件。SAW卷积器/相关器还可用来消除雷达系统中的固有畸变和缩短处理时间,并能使其系统大大简化。本文叙述了制作在n型Si半导体基片上的单片式ZnO/SiSAW卷积器/相关器的设计、原理、结构、制作及其初步测试结果,并进行初略的讨论和提出改进性能的措施。

MZOS结构界面特性的研究

分析了MZOS结构及其Si—SiO_2子系统的C-V特性,发现ZnO中的氧空位和溅射工艺过程在Si—SiO_2界面引入的界面电荷是影响MZOS结构界面特性的主要因素.研究还表明,低温热退火可以改善MZOS结构的界面特性.

Ta_2O_5膜压电效应研究

本文报道了新型Ta_2O_5压电膜的制备方法及其工艺技术。用×轴垂直取向性Ta_2O_5压电膜制作出了声表面波(SAW)延迟线及滤波器。并给出了相应的实验结果。

声表面波卷积器/存储相关器用ZnO膜的制备

本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出的优质ZnO膜制作ZnO/Si单片式SAW卷积器,使该器件性能进一步改善,同时给出了相应的实验结果。