采用高能电子束辐照技术制造高反压大功率开关晶体管

应用最佳能量为１２ＭｅＶ的电子束对大功率开关晶体管进行了辐照．结果表明，经电子束辐照的开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。

采用高能12MeV电子辐照技术制造快速可控硅

报道了采用最佳能量（高能１２ＭｅＶ）电子辐照快速可控硅，解决了低能（≤４ＭｅＶ）电子辐照快速可控硅热稳定性差的难题，这对我国半导体器件的电子辐照推广应用将有一定的经济价值。

高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金、掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究．实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线，但高温特性却最差；掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化．据此，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案．

12MeV、4.2kW电子直线加速器的辐照应用

研究了能量为６～１２ＭｅＶ、平均束功率为４．２ｋＷ的工业辐照用电子直线加速器的应用。结果表明；它在对改善半导体器件（二极管、三极管、可控硅）参数特性，大蒜辐照抑制发芽和食品辐照杀菌保鲜综合辐照加工方面更为合适。

采用12MeV电子辐照技术制造高反压大功率开关晶体管

本文研究了首次应用最佳能量（１２ＭｅＶ）电子对大功率开关晶体管辐照的结果。应用结果表明：１２ＭｅＶ电子辐照开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。

高能电子辐照硅阻尼二极管t_（rr）的稳定性研究

本文研究结果表明：电子辐照硅阻尼二极管ｔｒｒ的稳定性取决于辐照电子能量和热处理条件。

国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

介绍了国产ＨＶＭ３５０９微波炉专用硅堆的工艺特点和关键设计制造工艺。该产品具有体积小、电流大、压降低、漏电流小和可靠性高等独特优点。研制结果表明：该产品已达到日本ＨＶＭ３５０９同类产品标准。

应用12MeV电子辐照效应制造硅p^＋nn^＋高频整流二极管

介绍了应用１２ＭｅＶ电子辐照效应将Ｐ￣＋ｎｎ￣＋普通整流二极管改制成高频整流二极管的新技术。多年研究、制造结果表明，该方法与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确，ｔ＿（ｒｒ）、Ｖ＿Ｆ一致性、重复性好，高温性能明显改善，合格率提高３０％以上，工艺简而易行，经济效益显著。

12MeV电子辐照技术在半导体器件中的应用

较全面地介绍了高能１２ＭｅＶ电子辐照技术的原理、方法、特点以及在快速二极管、晶体管、可控硅中的应用。

高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高原二极管掺金、掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照的试验结果进行了对比分析研究．结果表明，掺金的器件有最佳的正向压降Ｖ＿Ｆ与反向恢复时间ｔ＿ｎ的折衷曲线，但高温特性最差；掺铂的器件有最佳的高温特性，但Ｖ＿Ｆ～Ｔｎ的折衷曲线最差；全面衡量器件的各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化．据此，提出了不同类型的高额二极管少于寿命控制技术的优选方案．

应用12MeV电子束辐照效应制造硅P~＋NN~＋高频整流二极管

采用１２ＭｅＶ电子束辐照效应将Ｐ＋ＮＮ＋普通整流二极管改制成高频整流二极管，与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确；ｔｒｒ和ＶＦ的一致性和重复性好；高温性能明显改善；产品合格率提高３０％以上，工艺简单易行。

电子加速器辐照降解氯酚的研究

研究了高能电子束辐照降解 2 氯酚 (2 CP)、4 氯酚 (4 CP)和 2 ,4 二氯酚 (2 ,4 DCP)的过程 ,测定了降解过程中的相关产物 .实验表明高能电子束能够有效地降解 2 氯酚、4 氯酚、2 ,4 二氯酚 ,降解过程符合一级动力学方程 .同时 ,随辐照剂量的增大 ,水溶液的pH下降 ,氯离子浓度逐渐增高 .在 8kGy的辐照剂量下 ,2 氯酚、4 氯酚、2 ,4 二氯酚的降解率分别为 97%、99%、10 0 % ;分别有 6 7%、74 %、5

辐照降解饮用水氯化消毒副产物的研究

以60Co-γ和高能电子束为辐照源,对TCA和DCA水溶液以及模拟水加氯消毒后的水溶液进行了辐照降解研究。结果表明:辐照技术能有效地降解饮用水氯化消毒副产物,并且还能够抑制消毒副产物的进一步生成,这对于消毒后饮用水质量的保持有着十分重要的意义。

辐照大蒜抑制发芽的敏感期试验

采用(６０)Ｃｏｒ射线、电子束转换的Ｘ射线，用４个辐照剂量、４个辐照时期对４个地方的大蒜品种进行抑制试验，以明确辐照的敏感期。结果发现，２种射线辐照大蒜在休眠期只需４０Ｇｙ即可抑制发芽；各品种间抑制发芽的比较敏感的临界期；江苏太仓蒜为９月１５日、河南郑州蒜和山东金乡蒜为８月２２日，江苏邳州蒜则为８月１５日。

电子束辐照榨菜保鲜研究

本研究表明 ,天然榨菜经电子束 (8MeV) 3kGy辐照 ,在南京地区 9～ 1 0月常温(2 0～ 2 5℃ )下保质期为 3个月。辐照榨菜的卫生指标、感观指标、全N以及Pb、Hg、As的含量均符合国家标准 ,辐照对榨菜氨基酸 。

国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

本文报道了国产ＨＶＭ３５０９微波炉硅堆的设计、关键制造工艺和研制结果．

NFZ-10辐照用电子直线加速器束流性能测试

辐照加工是一种新兴的高技术加工方法,广泛应用于改善材料性能、生成新材料、消毒灭菌、食品保鲜等领域,其应用前景十分诱人.介绍了NFZ＿10辐照用电子直线加速器的主要束流性能指标和这些指标的测试方法及测量结果.结果表明,主要束流性能指标均达到和超过设计指标要求,优于国家行业标准指标要求.其中:能量不稳定度≤±1.8%,优于设计指标≤±3%;束流不稳定度≤±0.9%,优于设计指标≤±5%;扫描不均匀度≤±3.2%,优于设计指标≤±5%的要求.

硅二极菅脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＋ｎｎ＋高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０１３ｎ／ｃｍ２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ３缺陷，氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ十Ｖ２）或（Ｏ十Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还表明，该类器件具有良好的耐辐照特性。文中还对退火特性进行了讨论。退火使氧空位和双空位Ｅ２增加，这可能是Ｖ２Ｏ、Ｖ３Ｏ分解所致。