半导体碳化硅的进展

SiC是禁带宽度很大的半导体,是具有许多优异性能的材料。特别是SiC绝缘击穿场强高出Si 1个数量级,有可能制出大容量、低损耗的功率器件,因而潜藏着取代Si器件的可能性。近年来随着SiC结晶生长技术的显著进步,以实现半导体器件而进行的研究开发日见活跃。本文在简要介绍SiC的物理特性及晶体生长技术后,重点介绍有关SiC器件的最新进展动向。