提高ZrO_2-Y_2O_3(YSZ)材料离子电导率的研究进展

结合氧离子导体电解质材料的研究进展,简述了YSZ材料的性能、特点及应用,介绍了YSZ材料的研究现状,综述了影响YSZ离子电导率的因素以及提高YSZ离子电导率的方法。

有机锗化合物在医药保健及食品领域的应用及研究进展

有机锗在医药保健、食品等领域的应用研究已成为医药、化学等科学界研究的前沿课题之一。综述了有机锗的制备及其在医药保健及食品领域的应用及研究进展,探讨了有机锗对于人体健康的重要作用,以期提高有机锗在药品、保健品及食品领域的开发利用。

高纯四氯化锗测试样品的采集和制备方法研究

针对光纤级高纯四氯化锗(99.999999%)中痕量含氢杂质吸收峰红外透过率检测(FTIR)用试样的采集,以及痕量金属杂质的电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定用试样的制备方法进行了系统研究。设计开发了用于检测痕量含氢杂质吸收峰红外透过率的样品采集实验装置,实现了含氢杂质(如—OH、—CH、HCl等)吸收峰的红外透过率在线连续测试,试样采集过程全密闭进行,避免了采样过程的二次污染,采样过程流程简短,操作简便;实验优选了在制备ICP-MS法测定痕量金属杂质用的试样过程中消除四氯化锗基体干扰、防止砷等易挥发杂质损失以及防止样品处理过程污染试样的制样方法,实现了试样制备过程二次污染源的有效控制,制样过程试剂消耗量少,制备时间短,待测元素无损失。

超高纯锗多晶材料制备工艺方法研究

高纯锗属于半导体材料,一般通过区域熔炼法提纯制取,微量杂质元素会显著地使其电阻率降低。因此,习惯用(杂质)载流子浓度(通过电阻率和迁移率进行表征)来表示高纯锗的纯度,(杂质)载流子浓度越低,纯度越高。为提高超高纯锗多晶材料的纯度,适应空间暗物质、中微子探测、地质勘探等领域研究的需要,开展了超高纯锗多晶材料纯度的实验工艺优化实验研究。同时,进行了区熔次数的实验研究以改进工艺过程,以期找到一种新型的超高纯锗多晶材料制备工艺,使制备出的超高纯锗多晶材料纯度达到(12~13)N,载流子浓度<1×1011/cm2,电阻率>2×103Ω·cm,迁移率>1×104cm2/(V·s)。

PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究

针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响。通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭。对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%。

溶胶-凝胶层晶界扩散对柱状晶YSZ涂层电导行为的影响（英文）

借助晶界调控和修饰可以提高和改善氧离子导体YSZ的电导率。本文采用射频磁控溅射工艺在单晶Al2O3(0001)衬底上制备了厚度约为2μm具有柱状晶结构特征的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)涂层,利用溶胶涂覆工艺在涂层表面涂覆含Fe、Co、Si等元素的扩散源,在一定温度下进行热扩散处理使上述离子沿晶界扩散,研究不同离子的引入对YSZ涂层电导率的影响。溶胶前驱体粉末的TG-DSC分析确定了涂覆处理后的热扩散处理工艺,采用XRD、SEM以及TEM对涂层以及溶胶的形貌、结构和物相进行了测试,采用直流四探针法和交流阻抗谱法对涂层热扩散处理前后的电导率进行了测试。结果表明制备态以及溶胶扩散后的YSZ涂层均具有立方萤石型结构,晶粒大小在50~100nm之间。电导率测试结果表明单独引入Si4+的样品电导率相比于制备态降低了3倍,在此基础上再引入Fe^(3+)的样品电导率相比于制备态提高了3倍,单独引入Co2+的样品电导率变化不大。Fe溶胶扩散后YSZ涂层电导率提高的原因可推断为Fe2O3对晶界处SiO_2的清除作用。