在 Si 底层上种的单个自我装配的 GeSi 量点的电的性质被在房间温度使用传导性的原子力量显微镜学调查。由控制偏爱电压扫在某个快打扫率范围,一座新奇当前的山峰在量点的当前的电压特征被观察。当前的山峰在向后的电压期间仅仅是可检...在 Si 底层上种的单个自我装配的 GeSi 量点的电的性质被在房间温度使用传导性的原子力量显微镜学调查。由控制偏爱电压扫在某个快打扫率范围,一座新奇当前的山峰在量点的当前的电压特征被观察。当前的山峰在向后的电压期间仅仅是可检测的立即扫在以后一向前扫。当前的山峰位置和紧张被发现强烈取决于电压打扫条件。这种当前的电压特征在下面快扫与以前测量的量点的平常的稳定的州的当前的行为很不同。这现象的起源能被归因于在在本国的氧化物层和底部 Si 底层之间夹的量点很好形成的潜力套住的短暂的洞。展开更多
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文摘在 Si 底层上种的单个自我装配的 GeSi 量点的电的性质被在房间温度使用传导性的原子力量显微镜学调查。由控制偏爱电压扫在某个快打扫率范围,一座新奇当前的山峰在量点的当前的电压特征被观察。当前的山峰在向后的电压期间仅仅是可检测的立即扫在以后一向前扫。当前的山峰位置和紧张被发现强烈取决于电压打扫条件。这种当前的电压特征在下面快扫与以前测量的量点的平常的稳定的州的当前的行为很不同。这现象的起源能被归因于在在本国的氧化物层和底部 Si 底层之间夹的量点很好形成的潜力套住的短暂的洞。