针对下一代IC载板低表面粗糙度介电材料金属化应用,我们特别提出了全新的化学铜沉积速率控制配方,来改善现有的信赖性问题。此化学铜配方可在粗糙度低于0.1μm的基材上达到机械拉力值0.4 Kgf/cm以上。此外,此方法不会造成其他孔洞信赖...针对下一代IC载板低表面粗糙度介电材料金属化应用,我们特别提出了全新的化学铜沉积速率控制配方,来改善现有的信赖性问题。此化学铜配方可在粗糙度低于0.1μm的基材上达到机械拉力值0.4 Kgf/cm以上。此外,此方法不会造成其他孔洞信赖度测试(如QVP,quick via pull)出现金属种子层断裂的问题。化学铜在直径50μm,孔深约27μm的孔洞均厚能力也能达到90%以上。以上化学铜沉积速率控制配方的特性表现,确保在高阶IC载板的应用上可以达到良好的操作性与信赖度。展开更多
文摘针对下一代IC载板低表面粗糙度介电材料金属化应用,我们特别提出了全新的化学铜沉积速率控制配方,来改善现有的信赖性问题。此化学铜配方可在粗糙度低于0.1μm的基材上达到机械拉力值0.4 Kgf/cm以上。此外,此方法不会造成其他孔洞信赖度测试(如QVP,quick via pull)出现金属种子层断裂的问题。化学铜在直径50μm,孔深约27μm的孔洞均厚能力也能达到90%以上。以上化学铜沉积速率控制配方的特性表现,确保在高阶IC载板的应用上可以达到良好的操作性与信赖度。
