高迁移率ZnO纳米线的太赫兹探测器应用

报道了一种使用氧化物纳米线(ZnO)构建的新型太赫兹探测器。首先合成了高品质的ZnO纳米线,并且以此制备了场效应管。通过电输运测量得出ZnO纳米线具有高的开关比和良好的场效应迁移率,因此ZnO纳米线可作为基于一维场效应管模型的太赫兹探测器的感应端。在室温下不同强度的入射太赫兹波(0.3 THz)都可引起光电压。此外,进一步的分析证明太赫兹波的光敏效应是由于ZnO样品自身的高迁移率引起的,这也说明了氧化物纳米电子学将在太赫兹领域得到更广阔的应用。

AlN掺杂的镓基液态金属硅脂在电子器件散热上的应用（英文）

为了增强界面传热效果,将镓基液态金属(Ga_(68.5)In_(21.5)Sn_(10))及氮化铝作为导热填料填充到甲基硅油中制备了一种新型复合的热界面材料,并利用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)检测材料的微观结构和化学成分以研究其导热原理。合成的AlN掺杂的镓基液态金属硅脂导热率可达5.014 W/m·K,分别高于液态金属/甲基硅油二元复合材料和现售高端的导热硅脂产品(x-23-7762)约5%和20%。同时,接触热阻减少了约20%和50%,粘度保持在适当的范围内降低了使用过程中的溢出风险。CPU的实测结果表明新合成的AlN掺杂的镓基液态金属硅脂可以显著降低笔记本核心的工作温度,分析其导热机理后提出传热过程的协同效应原理。实验结果表明该产品是一种理想的导热界面材料且具有广泛的应用前景。