采用高温固相合成法对Ba Ti O_(3)粉体进行Nd2O_(3)和Zr O2双施主复合掺杂,制备(Ba1-3 x/2Nd_(x))(Ti_(0.99)Zr_(0.01)) O_(3)(BTNZ)陶瓷,研究Nd掺杂量对BTNZ粉体的陶瓷微观结构和介电性能的影响,结果表明,掺杂适量的Nd^(3+)和Zr^(4+)...采用高温固相合成法对Ba Ti O_(3)粉体进行Nd2O_(3)和Zr O2双施主复合掺杂,制备(Ba1-3 x/2Nd_(x))(Ti_(0.99)Zr_(0.01)) O_(3)(BTNZ)陶瓷,研究Nd掺杂量对BTNZ粉体的陶瓷微观结构和介电性能的影响,结果表明,掺杂适量的Nd^(3+)和Zr^(4+)分别置换Ba Ti O_(3)中的Ba^(2+)和Ti^(4+)能有效地改善Ba Ti O_(3)陶瓷材料的介电性能,随着Nd^(3+)掺杂量的增加,介电峰逐渐展宽,介电峰值非线性地从10049降低到5100,居里峰对应的Tc从136℃降至56℃。展开更多
文摘采用高温固相合成法对Ba Ti O_(3)粉体进行Nd2O_(3)和Zr O2双施主复合掺杂,制备(Ba1-3 x/2Nd_(x))(Ti_(0.99)Zr_(0.01)) O_(3)(BTNZ)陶瓷,研究Nd掺杂量对BTNZ粉体的陶瓷微观结构和介电性能的影响,结果表明,掺杂适量的Nd^(3+)和Zr^(4+)分别置换Ba Ti O_(3)中的Ba^(2+)和Ti^(4+)能有效地改善Ba Ti O_(3)陶瓷材料的介电性能,随着Nd^(3+)掺杂量的增加,介电峰逐渐展宽,介电峰值非线性地从10049降低到5100,居里峰对应的Tc从136℃降至56℃。