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图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展 被引量:9
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作者 周仕忠 林志霆 +1 位作者 王海燕 李国强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期417-424,共8页
蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术,除了能减少生长在蓝宝石衬底上GaN之间的差排缺陷,提高磊晶质量以解决失配问... 蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术,除了能减少生长在蓝宝石衬底上GaN之间的差排缺陷,提高磊晶质量以解决失配问题,更能提高LED的出光效率。从衬底图形的形状、尺寸、制备工艺出发,回顾了图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展,详细介绍了近年来关于图形化衬底技术与其他技术在提高LED性能方面的结合,总结了图形化蓝宝石衬底应用于大尺寸芯片的优势,并对其未来在大功率照明市场的应用进行了展望。 展开更多
关键词 蓝宝石 图形化衬底 发光二极管(LED) GAN 制备工艺
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六棱锥衬底旋转角影响LED效率的模拟探究 被引量:1
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作者 何攀贵 王海燕 +3 位作者 乔田 周仕忠 林志霆 李国强 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期374-378,共5页
以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°~30°范围,随着旋转角的增大,总光通量与顶部光通量有下降趋... 以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°~30°范围,随着旋转角的增大,总光通量与顶部光通量有下降趋势,底部光通量有增长趋势。当六棱锥旋转角在0°~6°范围内时,LED芯片的总光通量和顶部光通量均有最优值。综合考虑,旋转角为0°~6°的六棱锥型图形衬底对正装LED的出光效率有最佳的优化效果。 展开更多
关键词 LED 图形化衬底 六棱锥 模拟 旋转角
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SiN_x插入层对Si衬底上生长GaN薄膜晶体质量和表面形貌的影响
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作者 钱慧荣 周仕忠 +6 位作者 刘作莲 杨为家 王海燕 林志霆 林云昊 王文樑 李国强 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第2期216-219,225,共5页
在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响。结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入S... 在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响。结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入SiNx插入层可使GaN薄膜的(10-12)面的X-射线回摆曲线的半峰宽(FWHM)值从974.01减小到602.01arcsec;表面凹坑等缺陷减少、表面平整度提高。可见,SiNx插入层对在Si衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响。 展开更多
关键词 SI衬底 GAN薄膜 SiNx插入层 MOCVD
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垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
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作者 郝锐 马学进 +2 位作者 马昆旺 林志霆 李国强 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期186-189,263,共5页
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响... InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响。研究发现,多量子阱中垒层适度Si掺杂(3.4×1016 cm-3)可以改善多量子阱结构界面质量和In组分波动,在外加正向电流的作用下更大程度地屏蔽极化电场;同时,还能够增强电流的横向扩展性,提高活化区的有效发光面积。然而,多量子阱中垒层的过度Si掺杂对于绿光LED器件的性能带来诸多的负面影响,比如加剧阱垒晶格失配、漏电途径明显增加等,致使器件光效大幅度降低。 展开更多
关键词 绿光LED INGAN 多量子阱 Si掺杂 量子限制Stark效应
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H_2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响
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作者 杨美娟 林云昊 +2 位作者 王文樑 林志霆 李国强 《材料研究与应用》 CAS 2016年第1期10-15,共6页
采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上外延生长AlN薄膜,用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征,并研究了适量H_2的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:... 采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上外延生长AlN薄膜,用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征,并研究了适量H_2的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:在Si衬底上外延生长AlN薄膜过程中引入适量H_2,有利于提高AlN岛间愈合程度,薄膜表面缺陷减少,表面粗糙度由4.0nm减少至2.1nm;适量H_2的引入可使AlN薄膜的(0002)和(10-12)面的X射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)值从0.7"及1.1"分别减小到0.6"和0.9",即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少. 展开更多
关键词 SI衬底 ALN薄膜 H2 MOCVD
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Design of patterned sapphire substrates for GaN-based light-emitting diodes
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作者 王海燕 林志霆 +2 位作者 韩晶磊 钟立义 李国强 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第6期17-24,共8页
A new method for patterned sapphire substrate (PSS) design is developed and proven to be reliable and cost-effective. As progress is made with LEDs' luminous efficiency, the pattern units of PSS become more complic... A new method for patterned sapphire substrate (PSS) design is developed and proven to be reliable and cost-effective. As progress is made with LEDs' luminous efficiency, the pattern units of PSS become more complicated, and the effect of complicated geometrical features is almost impossible to study systematically by experiments only. By employing our new method, the influence of pattern parameters can be systematically studied, and various novel patterns are designed and optimized within a reasonable time span, with great improvement in LEDs' light extraction efficiency (LEE). Clearly, PSS pattern design with such a method deserves particular attention. We foresee that GaN-based LEDs on these newly designed PSSs will achieve more progress in the coming years. 展开更多
关键词 light-emitting diode (LED) patterned sapphire substrate (PSS) pattern design computer simula-tion
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