含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.

论如何推进输变电工程项目全程内部审计

近几年来，随着电力工业的发展和输变电工程项目投资的增加，如何推进输变电工程项目全程跟踪审计，已成为电业企业内部审计机构面临的重要课题。为此，本文拟就这个问题谈些看法。笔者认为，要有效推进此项审计就必须充分认识此项工作的重要性，并在做好有关工作中注重以下方面。

论如何强化电网建设项目审计

电网建设项目内部审计要体现“服务于电网发展．服务于电网建设”的审计理念．明确电网建设项目内部审计的定位．并围绕着电网建设项目管理主要环‘节和关键控制点．夯实工程项目审计基础．巩固工程管理审计成果．拓展行业特色审计领域．全面提高工程审计水平。

湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。