陶瓷微波烧结技术研究进展

综述了近年来用微波方法烧结陶瓷在机理和应用上的进展,阐明了微波促进陶瓷体特别是在多元系统中烧结的原理,列举了近几年来微波烧结提高陶瓷性能的实例,指出了微波烧结陶瓷技术的发展前景。

微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长

研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～200℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kj/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi_2O_3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.

TiO_2掺杂对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2低压压敏电阻电学性能的影响

通过研究微米粉体、纳米粉体和纳米胶体TiO2掺杂的ZnO压敏电阻的电性能,发现纳米胶体TiO2掺杂的ZnO压敏电阻具有较低的电压梯度和漏电流,而非线性系数较高。对电性能结果的分析表明:在ZnO–Bi2O3–TiO2低压压敏电阻中,晶界击穿电压不是一个固定值;漏电流中的线性分量对TiO2掺杂的ZnO压敏电阻电学性能影响很大。

碳化二亚胺对透明质酸进行化学修饰的研究

目的 :用水溶性的碳化二亚胺 (EDC)作为交联剂对透明质酸 (HA)进行化学修饰 ,研究交联产物 (HA EDC)的物化性质和微观结构。方法 :制备HA与EDC的交联产物 ,对该交联产物进行流变性和热学性能的研究 ,并对其进行红外光谱、拉曼光谱以及核磁共振的微观结构研究。结果 :反应时间和交联剂添加量的不同可以改变交联反应的交联度。不同摩尔比的EDC和HA的交联产物有不同的溶胀性。光谱分析得到交联产物的N 酰脲的结构。结论 :可以用碳化二亚胺来对透明质酸进行化学修饰 ,得到具有很强吸水性并且吸水性可以控制的交联产物 ,交联反应过程中 ,产物的结构从不稳定的O -异酰脲转变为稳定的N -酰脲。

材料工程全日制专业学位研究生实践环节培养的问题及措施

材料工程全日制专业学位研究生实践环节的培养是提高其实践能力的重要环节,由于起步较晚,在学生实践能力、实践环节培养方案和导师指导水平等方面存在诸多问题。本文以福州大学材料学院为例,讨论在专业学位研究生在实践能力培养过程中面临的问题,并提出合理措施,为提高专业学位研究生的培养质量提供参考。

不同气氛下微波烧结氧化锌压敏电阻(英文)

在空气、氮气和氧气等不同气氛下对氧化锌压敏电阻进行了微波烧结的实验。研究了在3种不同气氛下烧结的氧化锌压敏电阻的微观结构和电性能的区别,并且研究了不同气氛下微波和材料之间的相互作用。结果表时,在低温下,富氮气比富氧气氛更容易使样品致密化,但是在1000℃以上氮气氛下的样品出现反致密化作用,使得其电性能大幅恶化。

降温速率对低压ZnO压敏电阻性能的影响

采用低压ZnO压敏电阻配方,利用正电子湮没寿命谱(PAS)及SEM,对试样微结构进行了分析.结果表明,急冷能使低压ZnO压敏电阻的微空洞尺寸增大,缺陷浓度降低.通过分析PAS参数与电性能参数的关系,对急冷能明显降低电压梯度提出了新的解释.

共沉淀纳米掺杂制备ZnO压敏电阻数学模拟(Ⅰ)

从多种离子反应平衡角度,对最常见的氨法共沉淀过程进行理论分析,并在此基础上提出了氨法共沉淀的数学模型和计算方法.对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的既能与NH3也能与OH-络合的金属离子(A类二价金属离子)进行了理论分析和模拟计算,得到了沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系.

余杭“四无粮仓”——仓前粮仓工业建筑遗产保护研究

仓前粮仓是余杭“四无粮仓”仅存的建筑遗产。文章首先对余杭“四无粮仓”历史发展概况进行论述;其次,针对仓前粮仓进行保护性修复与功能更新的探究,包括:仓前粮仓的整体空间布局结构的历史演进与整体保护、建筑形构保护性修复、内部空间再生和空间序列组织等;最后,对仓前粮仓工业建筑遗产的价值和保护模式进行阐释和总结。

微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究

采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻，研究了其致密化过程，运用XRD、SEM、电性能测试等手段，分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明：微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化，而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1／10～1／8。微波烧结样品的小电流特性有所提升；其通流量为11．6kA，比商用ZnO压敏电阻（7.75kA）高。

氧化锌压敏电阻微波烧结行为的研究

采用微波和传统烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,比较了微波和传统烧结ZnO压敏电阻的相组成、表面微观结构和电性能,探讨了烧结温度和保温时间对微波烧结样品的致密化和电性能的影响。与传统工艺相比,微波烧结工艺明显改善了ZnO压敏电阻的致密化行为,缩短了烧结周期,改善了电性能。优化的微波烧结样品的压敏电压U1mA为521.8V,非线性系数α是61.4,漏电流IL为1.25×10-6A,残压比Kr为1.45,通流量Im达11600A,均达到或超过了传统工艺水平。微波烧结样品的通流量Im更是比传统烧结样品高约50%。

Mg-B二元体系的微波烧结行为研究

采用高纯Mg粉与无定形B粉,按照MgB2化学计量比均匀混合后,在10MPa压力下压制成块,通过一系列微波烧结工艺制备了MgB2块材。探讨了微波烧结温度、保温时间对Mg-B二元反应体系的相组成、微观形貌、反应过程的影响。结果表明,微波烧结工艺700℃以上,10～30min内就能完成Mg-B体系的烧结反应,形成较高纯度的MgB2相。保温时间越长,烧结温度越高,MgO和MgB4杂相含量越高。显微结构分析表明,微波烧结能有效提高样品的致密度,样品内孔洞形状与初始Mg粉的形状和尺寸紧密相关。

聚乙二醇交联的透明质酸衍生物的细胞毒性

目的利用聚乙二醇(PEG)作为交联剂制备透明质酸(HA)衍生物,并检测其细胞毒性,从而探讨其应用于临床医学的可行性。方法将PEG-HA衍生物配制成1mg/ml的生理盐水溶液作为供试液,在培养瓶中加入含有50%供试液的细胞培养液,分别在培养2、4和7d时检测细胞毒性,并利用SPSS10·0统计软件包分析细胞的相对增殖度。结果PEG-HA衍生物作为细胞培养液成分之一,使细胞在培养过程中生长形态正常,贴壁情况良好,L-929细胞呈梭型,细胞相对增殖度为95·49%,细胞毒性为1级,评定为合格。结论PEG-HA衍生物对人体无毒副作用,可应用于临床医学。

工业微波在制备高岭石-二甲基亚砜插层复合物中的应用

采用工业微波快速制备了高岭石-二甲基亚砜(DMSO)插层复合物,并首次探讨了工业微波功率对插层效果的影响。以高岭石-二甲基亚砜(DMSO)插层复合物为前驱体,在熔融状态,微波诱导聚乙二醇(PEG)置换出高岭石层间的DMSO,微波继续协伺PEG作用,实现了其对高岭石的剥片。采用X射线衍射、FTIR光谱、TG-DTA、TEM等对插层复合物进行了表征。为微波制备高岭石插层复合物及其应用的工业化打下了一定的基础。

共沉淀纳米掺杂制备ZnO压敏电阻数学模拟

从多种离子反应平衡角度,对氨法共沉淀过程进行了理论分析,并在此基础上提出了氨法共沉淀的数学模型和计算方法.对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的只能与OH-络合的金属离子(B类离子)的单体沉淀、共沉淀,以及A类(既能与NH3也能与OH-络合的金属离子)、B类离子的共沉淀进行了理论分析和模拟计算,得到了沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系.

掺杂TiO_2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究

利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响。实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小。

基于工程教育专业认证背景下“毕业论文”过程管理改革

工程教育专业认证工作对高等教育改革发展起到了积极而重要的推动作用。福州大学材料科学与工程学院针对高校毕业论文管理过程存在的问题,充分结合学院工程教育改革,促进毕业论文教学管理模式的创新。以持续改进为核心对毕业论文进行全过程管理;多维度课程评价对毕业论文教学管理实施过程存在的问题进行挖掘与改进;重新制定评分标准,适当提高教学目标的设定要求。改革措施旨在提高本科生的专业实践水平,向社会输送高质量、专业性工程人才。

微波在制备高岭石-不同插层剂插层复合物中的应用(英文)

应用一种新方法——微波协同作用快速制备了高岭石插层复合物,研究了不同插层剂对插层效果的影响。结果表明,在微波条件下,对于偶极距较大并且分子尺寸更小的插层剂DMSO具有显著的插层效果。相比传统方法,该法能更为快速地制备了插层率为82.2%的高岭石插层复合物(时间仅为1h,而传统方法要数天时间)。而且,在用KAC、Urea作为插层剂时,微波显示出不同的影响。这种微波对制备高岭石插层复合物的良好效果为高岭石插层复合物及其应用开辟了一条新的途径。

纳米SiC掺杂对微波合成MgB_2超导体显微结构与超导电性的影响

采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800℃时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相。随着掺杂量的增加,MgB2的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明,随着纳米SiC掺杂量的增加,MgB2的临界温度由未掺杂时的38.5 K降低至掺杂量x=0.10时的34.5 K。T≤20 K时,MgB2的Jc(B)性能随纳米SiC掺杂量x的增加逐渐变好,高场时尤为明显。T≥25 K时,样品的Jc(B)性能随x的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小,作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。

一种合成ZnO压敏电阻陶瓷主料的新方法

以Zn(NO3)2为原料,采用NaOH为沉淀剂,制备氧化锌压敏电阻陶瓷主料ZnO。结果显示制备的ZnO均为纳米级,并通过调节控制酸碱度pH值、反应温度、反应溶液的浓度等,探索了实验的最佳条件。为今后采用共沉淀法制备氧化锌压敏电阻陶瓷复合粉体奠定了扎实的基础。