硼离子注入对硅基Si_3N_4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子Ｂ＋注入方法来改善Ｓｉ３Ｎ４薄膜的力学性质，并就Ｂ＋注入对Ｓｉ３Ｎ４薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究．实验结果表明，Ｂ＋注入能够有效地降低薄膜的内应力，而对薄膜的驻极体性质有不利的影响；用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。