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硼离子注入对硅基Si_3N_4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善
被引量:
2
1
作者
张晓青
夏钟福
+3 位作者
潘永刚
张冶文
李宝清
林梓辛
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2000年第3期255-258,共4页
利用硼离子B+注入方法来改善Si3N4薄膜的力学性质,并就B+注入对Si3N4薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B+注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修...
利用硼离子B+注入方法来改善Si3N4薄膜的力学性质,并就B+注入对Si3N4薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B+注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。
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关键词
氮化硅薄膜
驻极体
硼离子注入
内应力
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职称材料
题名
硼离子注入对硅基Si_3N_4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善
被引量:
2
1
作者
张晓青
夏钟福
潘永刚
张冶文
李宝清
林梓辛
机构
同济大学波耳固体物理研究所
中国科学院上海冶金研究所
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2000年第3期255-258,共4页
基金
国家自然科学基金!(59682003)
中科院离子束开放研究实验室课题资助项目!(硼离子注入对Si3N4薄膜驻极体性能的改善)
文摘
利用硼离子B+注入方法来改善Si3N4薄膜的力学性质,并就B+注入对Si3N4薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B+注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。
关键词
氮化硅薄膜
驻极体
硼离子注入
内应力
Keywords
silicon nitride film
electret
boron ion implantation
internal stress
分类号
O484.2 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硼离子注入对硅基Si_3N_4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善
张晓青
夏钟福
潘永刚
张冶文
李宝清
林梓辛
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2000
2
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