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语义通信中基于深度双Q网络的多维资源联合分配算法
被引量:
2
1
作者
林润韬
郭彩丽
+1 位作者
陈九九
王彦君
《移动通信》
2023年第4期45-53,共9页
5G技术的不断发展,带来了网络中数据量的爆发式升高与越来越多的涉及图像视频的语义理解任务,无疑对通信、计算和缓存资源造成了极大的压力。为更好地满足视频语义理解任务的资源需求,缓解资源紧缺现象,研究了语义通信中基于深度双Q网...
5G技术的不断发展,带来了网络中数据量的爆发式升高与越来越多的涉及图像视频的语义理解任务,无疑对通信、计算和缓存资源造成了极大的压力。为更好地满足视频语义理解任务的资源需求,缓解资源紧缺现象,研究了语义通信中基于深度双Q网络的多维资源联合分配算法。首先,基于车联网场景,改进了现有的联合资源分配算法,引入缓存资源构建了新的面向语义的多维资源联合分配模型;其次,针对其动态时变的特性,搭建了深度双Q网络求解最优资源分配策略;最后,仿真验证了所提多维资源联合分配算法的性能优势。
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关键词
资源分配
语义通信
车联网
深度强化学习
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职称材料
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
被引量:
2
2
作者
林润韬
王建军
+1 位作者
赵晶
万志华
《电源学报》
CSCD
北大核心
2022年第5期75-83,共9页
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆,锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时,也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时,为了提高电源开关频率与设...
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆,锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时,也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时,为了提高电源开关频率与设备效率,将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)器件引入到LLC变换器设计中。为有效解决GaN HEMT耐压带来的应用限制,使用堆叠半桥三电平拓扑实现器件分压。通过PSIM进行仿真验证,证明该拓扑的设计有效性。最终制作2 kW的实物样机,实现400~800 V电压输入与25~40 V电压输出,峰值功率达到93.89%。
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关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管
堆叠半桥
LLC
宽电压输入
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职称材料
题名
语义通信中基于深度双Q网络的多维资源联合分配算法
被引量:
2
1
作者
林润韬
郭彩丽
陈九九
王彦君
机构
北京邮电大学北京先进信息网络实验室
中电信数智科技公司
出处
《移动通信》
2023年第4期45-53,共9页
基金
中央高校基本科研业务费专项基金资助(2021XD-A01-1)。
文摘
5G技术的不断发展,带来了网络中数据量的爆发式升高与越来越多的涉及图像视频的语义理解任务,无疑对通信、计算和缓存资源造成了极大的压力。为更好地满足视频语义理解任务的资源需求,缓解资源紧缺现象,研究了语义通信中基于深度双Q网络的多维资源联合分配算法。首先,基于车联网场景,改进了现有的联合资源分配算法,引入缓存资源构建了新的面向语义的多维资源联合分配模型;其次,针对其动态时变的特性,搭建了深度双Q网络求解最优资源分配策略;最后,仿真验证了所提多维资源联合分配算法的性能优势。
关键词
资源分配
语义通信
车联网
深度强化学习
Keywords
resource allocation
semantic communication
Internet of vehicles
deep reinforcement learning
分类号
TN929.5 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
被引量:
2
2
作者
林润韬
王建军
赵晶
万志华
机构
中国运载火箭技术研究院北京航天发射技术研究所
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2022年第5期75-83,共9页
文摘
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆,锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时,也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时,为了提高电源开关频率与设备效率,将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)器件引入到LLC变换器设计中。为有效解决GaN HEMT耐压带来的应用限制,使用堆叠半桥三电平拓扑实现器件分压。通过PSIM进行仿真验证,证明该拓扑的设计有效性。最终制作2 kW的实物样机,实现400~800 V电压输入与25~40 V电压输出,峰值功率达到93.89%。
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管
堆叠半桥
LLC
宽电压输入
Keywords
gallium nitride high electron mobility transistor(GaN HEMT)
stacked half-bridge
LLC
wide input voltage
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
语义通信中基于深度双Q网络的多维资源联合分配算法
林润韬
郭彩丽
陈九九
王彦君
《移动通信》
2023
2
下载PDF
职称材料
2
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
林润韬
王建军
赵晶
万志华
《电源学报》
CSCD
北大核心
2022
2
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职称材料
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