基于Dyakonov-Shur效应（D-S效应）利用MOSFET可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1 m V信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET外接5 V的偏置电压源时,输出频率为2.15 THz、峰值为2 m V...基于Dyakonov-Shur效应（D-S效应）利用MOSFET可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1 m V信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET外接5 V的偏置电压源时,输出频率为2.15 THz、峰值为2 m V的等离子信号。通过调节偏置电压（1-20 V）可以使输出信号在0.96-4.30 THz范围内调频。此外,MOSFET在5 V的偏置电压和5 A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20 V,电压增益最大可达到86 d B,最大输出功率为200 W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。展开更多
文摘基于Dyakonov-Shur效应（D-S效应）利用MOSFET可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1 m V信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET外接5 V的偏置电压源时,输出频率为2.15 THz、峰值为2 m V的等离子信号。通过调节偏置电压（1-20 V）可以使输出信号在0.96-4.30 THz范围内调频。此外,MOSFET在5 V的偏置电压和5 A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20 V,电压增益最大可达到86 d B,最大输出功率为200 W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。
