氮氧化物栅介质抗辐射性能研究

本文利用具有氮氧化物栅介质的ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ和ＣＭＯＳ集成电路研究氮氧化物栅的抗γ总剂量性能，结果表明氮氧化物多层栅介质有比纯ＳｉＯ２更好的抗辐射性能。

薄栅氧化层的氮化

采用对薄栅氧化层在纯ＮＨ３中氮化的技术，通过膜的击穿场强、表面电荷、抗腐蚀性和氮化膜中元素的百分浓度的检测对氧化样品进行分析，经过实验得到了稳定性和电特性都较好的薄栅介质，其中栅氧化层的平均击穿场强可达到１３ＭＶ／ｃｍ。