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1.3μm InGaAsp/Inp DCC结构薄夹层厚度对激光器阈值和T_0值的影响
1
作者
王凤兰
林琨治
+2 位作者
吴献
邢佳春
刘玉春
《东北师大学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1996年第4期34-35,共2页
研究了1.3μmInGaAsp/InpDCC结构中间夹层厚度对激光器阈值和T0值的影响,并得到了最佳的夹层厚度.
关键词
INGAAS
异质结
温度特性
阈值电流
半导体激光器
下载PDF
职称材料
题名
1.3μm InGaAsp/Inp DCC结构薄夹层厚度对激光器阈值和T_0值的影响
1
作者
王凤兰
林琨治
吴献
邢佳春
刘玉春
机构
东北师范大学物理系
出处
《东北师大学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1996年第4期34-35,共2页
文摘
研究了1.3μmInGaAsp/InpDCC结构中间夹层厚度对激光器阈值和T0值的影响,并得到了最佳的夹层厚度.
关键词
INGAAS
异质结
温度特性
阈值电流
半导体激光器
Keywords
InGaAsp/InP heterojunction
the characteristic of temperature
the threshold of current density
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
1.3μm InGaAsp/Inp DCC结构薄夹层厚度对激光器阈值和T_0值的影响
王凤兰
林琨治
吴献
邢佳春
刘玉春
《东北师大学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1996
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