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基于第一性原理研究S替代对CdS_xSe_(1-x)的晶体结构和电子结构的影响
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作者 邢云 钟丹霞 +6 位作者 李延杰 林秀茶 宋佳 钱惠琴 沈静琴 王顺利 李培刚 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2014年第6期661-665,共5页
基于第一性原理,采用平面波赝势方法,计算并分析了CdSxSe1-x的晶体结构和电子结构及不同含量的S含量对CdSxSe1-x合金体系性质的影响。计算结果表明,由S部分或全部取代Se后,所形成CdSxSe1-x三元合金晶体的晶格常数随着S含量的增加呈线性... 基于第一性原理,采用平面波赝势方法,计算并分析了CdSxSe1-x的晶体结构和电子结构及不同含量的S含量对CdSxSe1-x合金体系性质的影响。计算结果表明,由S部分或全部取代Se后,所形成CdSxSe1-x三元合金晶体的晶格常数随着S含量的增加呈线性减小趋势,除S和Se的比例为1∶1外,其他比例的合金晶体所属晶系没有变化,禁带宽度随着S含量的增加逐渐增加;随着S含量的增加,态密度的峰值逐渐向高能量方向偏移;通过对S替代后体系的差分电荷密度分析发现,S元素的替代后,整个体系的电荷进行了重新分布。 展开更多
关键词 CDSE 晶体结构 电子结构 替代 CdSxSe1-x
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