负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析

本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场,使沟道具有负RC效应而不出现高场畴.

采用应变层量子阱的毫米波低噪声HEMT的进展

本文评介了近几年来采用应变量子阱的毫米波低噪声HEMT(高电子迁移率晶体管)的发展概况.

非晶态发射极晶体管中发射结电流密度的横向分布

本文对于由非晶硅和单晶硅两个区域构成的发射区结构，计算了利用非晶硅垂直电阻的镇流作用后发射结直流电流密度的横向分布，并给出发射极有效半宽度与发射区方块电阻及基区方块电阻的关系曲线．这些分析有助于非晶硅发射极微波功率管的性能的提高．

收集区局部掺杂的硅双极晶体管的二维数值分析

对于硅ＮＰＮ晶体管中新型的收集区局部掺杂结构以及常规的收集区均匀掺杂结构，本义采用数值分析，计算出这两种结构的晶体管内部的电势及电场的：二维分布．结果表明：在常规结构中，其浓硼扩散结的弯曲边缘处存在着电场集中效应，收集极雪崩出穿电压ＢＶｃｂｏ深受这种效应的影响．而在新型结构中，上述电场集中效应不复存在，其收集极雪崩击穿电压ＢＶｃｂｏ获得了明显的改善．

改善微波功率管小电流特性的模拟分析

对于新型Ｎ￣＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。

毫米波低噪声HEMT的短栅制作工艺

本文介绍两种制作毫米波低噪声HEMT 短栅(0.1～0.25μm)的工艺:(1)采用电子束曝光三层抗蚀剂制作T 形栅;(2)采用常规光刻、结合倾斜蒸发、反应离子刻蚀等工艺制作Γ形栅。

平面掺杂的HEMT结构

近来发表的AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT,跨导大于500ms/mm,f_1～100GHz。获得如此优异微波性能的主要措施是:(1)沟道采用了应变层量子阱结构;(2)调制掺杂采用了平面掺杂结构;(3)制作了0.1～0.25μm的短栅。本文将对平面掺杂的结构、优点及其进展给以评介。