纳米级集成电路与超纯水

阐述美国《国家半导体技术发展路线》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求,以我国8英寸/0.18μm和12英寸生产线的相关数据与其对照,表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数已可满足该发展要求,而在SiO2、微粒限定、检测技术以及超纯水耗量降低等方面尚有差距和问题,并提出相应的解决方案,讨论了降低超纯水等项水资源消耗的途径。重申了水回收的意义,关注“功能水”和高效、省能的GDI(聚合型电去离子)装置将是有益的。

8英寸线超纯水技术的若干特点

应小于等于 ０．２５μｍ８英寸 ｆａｂ之需，介绍了实际工程的各项优越水质参数和高可靠、易运作等特点。讨论了水的回收技术、总有机碳（ＴＯＣ）减低技术和安装／配管中的零污染的可能性。

半导体生产用的高纯气体述评

半导体、集成电路是项更新换代十分迅速的产业。在六十年代中，电路的集成度每年翻一番，七十年代，平均每三年增加四倍。进入八十年代后，仍将以每二年翻一番的速度增加。伴随这种发展，要求与使用的气体品种、质量和数量也急剧增加和提高。关于国外气体的质量标准已有详细综述，本文仅限于述评近年来高纯气体方面的特点和常用工业气体的供气方式。

深亚微米生产线中的超纯水装置

本文依据深亚微米技术的要求，结合实例，扼要介绍这种世界的超纯水装置。讨论了TOC／DO或WC／Si低于1PPb和用水点无微粒的技术以及费用等项热点问题。

纳米级集成电路与超纯水

阐述美国《国家半导体技术发展战略》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求。以我国8英寸/0.18微米和12英寸生产线和相关数据与其对照.表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数巳可满足该发展要求，而在SiO2、微粒限定、检测技术以及超纯水耗量降低等方面尚有差距和问题，提出相应的解决方案，讨论了超纯水等项水资源消耗的降低途径。重申了水回收的意义，关注“功能水”和高效，省能的GDI（聚合型电去离子）装置将是有益的。

深深亚微米技术中的超纯水

以我国深亚微米水平的超纯水系统的实践经验为基础,以300mm芯片厂和深深亚微米加工技术的需要为对象,推测其水质、水量的要求和费用能力,评述若干制水关键技术的现状,展望其发展。

超纯水精处理系统与水质评价

以0.5μm技术之需而设的一套超纯水精处理系统为实例,介绍其工艺流程及其特点,给出各项水质参数的实测数据,进而述评≤0.25μm/8″线的水质评价项目及其限定值、分析手段和在线检测仪表。

亚微米生产线中的超纯水技术

本文以统计性的数据为依据，阐述超纯水水质对器件的影响，列出亚微米CMOS线上的水质实例。围绕现代超纯水水质参数中总有机碳这一中，G环节，讨论了降低该值的关键和相关问题的解决要点。

超纯水精处理系统与水质评价

以应 0 .5 μm技术之需而设的一套超纯水精处理系统为实例 ,介绍了其工艺流程及特点 ,给出各项水质参数的实测数据 ,进而评述≤ 0 .2 5 μm/ 8英寸线的水质评价项目及其限定值、分析手段和应具有的在线检测仪表。

300mm晶圆线超纯水水质浅析

基于现代超纯水系统的若干实践,浅析现今超纯水水质的难点(TOC、SiO2、微粒的达标),述评300mm线水质要求上的现实性。