采用新型读出电路的CMOS图像传感器研究

设计了一种采用新型读出电路的CMOS图像传感器,该器件电路结构简单,由四个MOS管,一个电容构成;驱动信号源少,只需两个相配合的脉冲;功耗小于0.7mW;单端输出方便模数转换的视频信号;可以实现片内差分。给出了理论分析和电路模拟仿真的结果数据及波形。采用标准1.2μmN阱DPDMCMOS工艺设计了一个256元的实验器件,像元中心距为25μm,器件尺寸大小为1mm×11mm,并对器件进行了主要参数的测试和数据分析,验证了该器件的功能。

一种新型650nm的光电探测器

主要阐述了一种新型P* PIN结构的硅光电二极管,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,以提高光电转换效率。

CMOS数字图像传感器研究进展

CMOS图像传感器已从无源和有源像素结构发展到数字图像传感器(DPS),数字图像传感器是CMOS图像传感器的发展方向,DPS的优势在于可把整个图像系统集成在一块芯片上,构成单芯片成像系统,从而降低成本,节约系统功耗,改善成像质量.片上集成模数转换器(ADC)是CMOS图像传感器的关键部件,重点分析和比较了三类不同集成方式:芯片级、列级和像素级的原理、性能和特点.介绍了目前国内外数字图像传感器的发展现状及其未来的发展趋势.

P^+PIN结构的650nm光电探测器的研究

研究了一种新型P+PIN结构的硅650nm光电探测器,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,提高了光电转换效率,从而使光谱响应度从普通650nm光电探测器的0.30A/W提高到了0.380A/W,且具有约279MHz的较高响应速度.

一种利用可编程器件扩展I2C总线的方法

通过多路选择器和多路分发器,选中其中的一个i2c_slave通道后,由于I2C协议当中规定,I2C是有外部上拉电阻,因此只需要将驱动端的低电平透传到被驱动端就能够实现通信。可以利用高频时钟(大于I2C时钟10倍频率的时钟)对待传输的IO进行电平检测,如果检测到master端变成低电平时,那么打开m2s的传输开关,将master端的低电平传输至slave端。直到master端变成高电平时,关闭m2s的传输开关。反之如果检测到slave端驱动低电平时,那么打开s2m的传输开关,将slave端的低电平传输至master端,直到slave端变成高电平时,关闭s2m的传输开关。