利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏,全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM(见图1)。在与磁存储相关的国际会议一第52届磁学与磁性材料年会(52nd Annual Conference on Magnetism and Magnet...利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏,全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM(见图1)。在与磁存储相关的国际会议一第52届磁学与磁性材料年会(52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials,MMM)上,多家厂商相继发布了多种技术方案,可以将自旋注入MRAM的制造工艺提升到45nm-32nm,展开更多
文摘利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏,全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM(见图1)。在与磁存储相关的国际会议一第52届磁学与磁性材料年会(52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials,MMM)上,多家厂商相继发布了多种技术方案,可以将自旋注入MRAM的制造工艺提升到45nm-32nm,