浅析集成电路辐射抗扰度测试方法

集成电路的辐射抗扰度测试问题,已经成为限制电子设备性能的主要因素。目前集成电路的辐射抗扰度测试方法主要包括横电磁波小室法、吉赫兹横电磁波小室法、IC带状线法和近场扫描抗扰度法,但如何选用这些方法是一大难点,而随着干扰源频率范围扩大至GHz乃至数十GHz,现有的部分测试方法也暴露出诸多问题。从方法特点和测试配置两个方面对4种IC辐射抗扰度测试方法进行了阐述,并总结归纳了从测试配置到调整测试条件在内的一系列集成电路辐射抗扰度测试步骤,从频率范围、干扰场强、测试成本等方面对测试方法进行了对比分析。文中列举了各测试方法存在的典型问题及改进措施,最后提出了测试方法的3条选用原则,并给出了选用建议。可为测试人员提供参考,研究成果可用于集成电路辐射抗扰度测试的选用和改进工作。

基于表面扫描法的SiP器件近场电磁辐射测试方法

在近场电磁辐射测试研究中,还没有一套完整的面向单个元器件的测试方法。针对此问题,基于表面扫描法对SiP器件的近场电磁辐射测试方法进行研究。第一,利用X光研究SiP器件内部结构并进行干扰源分析;第二,完成硬件、软件层搭建使器件进入工作状态;第三,搭建近场测试系统,对工作中的器件实施近场测试。在案例研究中,所用SiP器件内部封装外围器件和作为主要干扰源的处理器。近场测试结果显示,PCB上辐射主要集中在SiP器件周围,器件近场辐射集中在处理器芯片处。案例研究的结果说明这种测试方法可以有效测量SiP器件的近场电磁辐射,并对器件内干扰源进行分析。