过渡金属氧化物薄膜阻变存储材料研究

随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战.阻变式存储器(RRAM)作为新一代存储器件,因其具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势受到广泛研究.针对过渡金属氧化物薄膜RRAM的研究概况,从RRAM的基本原理、材料体系、存储机理和器件应用所面临的困难等方面对RRAM进行了综述.

LED封装胶耐热性实验研究

利用分光测色仪、光电测试机和推力测试机等测试手段,实验测定了不同加热烘烤条件下LED的色差、光电参数及树脂推力,研究了不同LED封装胶的耐热性差异,并为行业提供了LED产品的维修方案。

Asymmetric reversible diode-like resistive switching behaviors in ferroelectric BaTiO_3 thin films

In this work, the resistive switching behaviors of ferroelectrictric BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3 .heterostructures de- posited by pulsed laser deposition are investigated. The BaTiO3 films show both well-established P-E hysteresis loops, and asymmetric reversible diode-like resistive switching behaviors, involving no forming process. It is found that both the ON/OFF ratio and the stability of resistive switching are substantially dependent on operation voltage （Vmax）. At a Vmax of 15 V, a large ON/OFF resistance ratio above 1000 is obtained at a Vmax of 15 V, which is able to maintain stability up to 70-switching cycles. The above resistive switching behaviors can be understood by modulating interface Schottky barriers as demonstrated by I-V curve fitting.

Temperature dependences of ferroelectricity and resistive switching behavior of epitaxial BiFeO_3 thin films

We investigate the resistive switching and ferroelectric polarization properties of high-quality epitaxial BiFeO3 thin films in various temperature ranges. The room temperature current-voltage（I-V） curve exhibits a well-established polarization-modulated memristor behavior. At low temperatures（〈 253 K）, the I-V curve shows an open circuit voltage（OCV）, which possibly originates from the dielectric relaxation effects, accompanied with a current hump due to the polarization reversal displacement current. While at relative higher temperatures（〉 253 K）, the I-V behaviors are governed by both space-charge-limited conduction（SCLC） and Ohmic behavior. The polarization reversal is able to trigger the conduction switching from Ohmic to SCLC behavior, leading to the observed ferroelectric resistive switching. At a temperature of〉 298 K, there occurs a new resistive switching hysteresis at high bias voltages, which may be related to defect-mediated effects.

高密LED显示屏器件封装用改性环氧树脂研究

传统的 SMD LED 显示屏器件所用的环氧树脂封装材料,存在容易黄变、吸湿大、杂质含量高、涨缩大等缺陷,限制了其在 高密显示领域中的应用,通过环氧树脂改性可弥补其作为高密显示器件封装材料的缺陷。本文综述了 LED 显示屏器件环氧树脂封装技术发 展,以及在阐述了抗黄变、低吸湿、低杂质、低涨缩性等方面的优势,并展望了高密 LED 显示屏器件封装用改性环氧树脂封装材料的发展 前景。

BIM技术在高速铁路接触网工程中的应用研究

分析了 BIM 技术的应用功能,包括模型集成、参数处理、信息交换等。通过考察 BIM 技术在参数化建模、结构碰撞实验、仿真处理、工程量计算与测绘、技术交底、工程建设管理、建筑方案管理、建筑人员管理、建筑数据采集与整理等方面的应用,加快高速接触网的施工速度,提高接触网工程的施工质量。

地铁刚性接触网故障的判断及查找研究

刚性接触网是传统柔性接触网的下一代产品,其可靠的性能在当前的地铁运行中有着很重要的作用。 在地铁运行过程中由于运行时间过长或是其他一些故障的出现容易造成刚性接触网的故障,为了更好地保证接触网在地铁运行中发挥作用,减少不必要的经济损失,需要对其在运行时可能出现的故障进行分析并做出精准快速的解决方案。

高温高湿致LED老化机理实验研究

使用综合环境老化设备对不同环氧树脂封装的LED进行了高温高湿综合环境老化试验。利用分光测色仪、光电测试机、红外光谱仪和扫描电子显微分析仪(SEM)等测试手段表征了LED的老化行为,并研究了其老化机理,并提出了延缓和预防LED老化的优化方案,实验验证了优化方案的可行性,为研究LED老化现象提供了理论基础和实验依据。

金属迁移致LED漏电失效实验研究

通过实验还原了失效LED产品,利用I-V曲线测试仪研究了失效LED产品的漏电规律,通过X-Ray探测仪和光学显微镜(OM)检测了失效LED产品内部形貌差异,采用扫描电子显微分析仪(SEM)和能量色谱X射线光谱仪(EDX)测试分析了失效LED产品的微观组织形貌以及组成成分,确定了LED产品失效原因。实验结果表明:在外加电压作用下,金属元素在PN结之间会发生迁移,造成LED漏电失效;PN结由于漏电发热,导致Au电极和芯片结合力变差,发生电极脱落和芯片烧伤现象。因此可对芯片表面进行纳米涂层设计,能有效地防止金属迁移。