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一种基于二进制重组加权定制电容阵列的SAR ADC设计
1
作者
林金晖
王宇
王法翔
《集成电路应用》
2023年第12期18-22,共5页
阐述DAC电容阵列的不完全建立对SAR ADC的影响,设计一种基于二进制重组加权算法的SAR ADC,降低DAC电容对于建立时间和精度的要求。提出一种可变延时单元来调整比较器的时钟信号,以提高SAR ADC的转换速度。同时设计定制金属-氧化物-金属(...
阐述DAC电容阵列的不完全建立对SAR ADC的影响,设计一种基于二进制重组加权算法的SAR ADC,降低DAC电容对于建立时间和精度的要求。提出一种可变延时单元来调整比较器的时钟信号,以提高SAR ADC的转换速度。同时设计定制金属-氧化物-金属(MOM)电容,提高了电容阵列的密度,实现了线性度和面积的良好折中。基于上述技术,实现一种8bit 50Msps的SAR ADC,该电路基于SMIC0.18μm工艺实现。仿真结果表明,在1.8V电源电压和50Msps的采样频率下,电路的SNDR为47.49dB,ENOB可达7.6bit,功耗为3.6mW,有效电路面积仅为0.2141mm^(2)。
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关键词
集成电路设计
SAR
ADC
二进制重组冗余
定制电容
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职称材料
题名
一种基于二进制重组加权定制电容阵列的SAR ADC设计
1
作者
林金晖
王宇
王法翔
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《集成电路应用》
2023年第12期18-22,共5页
文摘
阐述DAC电容阵列的不完全建立对SAR ADC的影响,设计一种基于二进制重组加权算法的SAR ADC,降低DAC电容对于建立时间和精度的要求。提出一种可变延时单元来调整比较器的时钟信号,以提高SAR ADC的转换速度。同时设计定制金属-氧化物-金属(MOM)电容,提高了电容阵列的密度,实现了线性度和面积的良好折中。基于上述技术,实现一种8bit 50Msps的SAR ADC,该电路基于SMIC0.18μm工艺实现。仿真结果表明,在1.8V电源电压和50Msps的采样频率下,电路的SNDR为47.49dB,ENOB可达7.6bit,功耗为3.6mW,有效电路面积仅为0.2141mm^(2)。
关键词
集成电路设计
SAR
ADC
二进制重组冗余
定制电容
Keywords
integrated circuit design
SAR ADC
binary recombination redundancy
customized capacitors
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
一种基于二进制重组加权定制电容阵列的SAR ADC设计
林金晖
王宇
王法翔
《集成电路应用》
2023
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