基于改进的LMD混合储能容量优化配置

为解决混合储能系统的光伏输出功率波动性较大的问题,提出一种改进的局部均值分解(improved local mean decomposition, ILMD)的功率分配方案。对光伏发电出力进行平滑处理,可得到满足国家要求的光伏并网功率,利用ILMD对混合储能功率进行分解,确定其高频功率和低频功率并分别分配给超级电容和蓄电池,建立具有目标函数的功率优化模型,最大限度地降低整个系统全生命周期的投资成本,使用改进鲸鱼优化算法求解获得符合优化模型要求的容量配置。通过算例分析,对比不同的储能容量配置策略,验证所提策略的可行性。

气相法WO_3纳米粉体的H_2S气敏性能研究

采用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,掺用溶胶--凝胶制成的TiO2,制作了H2S气敏传感元件。在性能测试中发现,该元件对浓度为10×10-6H2S的灵敏,有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性。文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析。

PT2262编码芯片的内部电路分析及仿真

PT2262是一种广泛应用于遥控装置的,具有功耗低、抗干扰能力强的芯片。对该芯片的功能特点和工作原理进行了详细介绍,并在对该芯片做逆向集成电路设计提取时,对PT2262内部电路进行了详细的分析,通过仿真软件Max+PlusⅡ对其内部电路进行了仿真,给出了仿真分析结果。不但可以为电路设计提供了电路参考,而且也对掌握该芯片的工作原理和使用方法提供了很大的帮助。

磁场后处理增强碳纳米管场发射特性的研究

采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm2时的电场)由1.05降低到0.73 V/μm,场增强因子从1656增加到2045,场发射的亮度及均匀度均得到改善。相对其它后处理方法,磁场后处理法是一种简单、经济且有效的增强碳纳米管的场发射特性的方法。

热蒸发法原位生长一维氧化锌纳米材料及其场发射特性研究

利用磁控溅射在ITO电极上沉积氧化锌薄膜,以氧化锌薄膜为种子层,采用热蒸发法合成ZnO一维纳米材料,利用XRD和SEM方法对氧化锌一维纳米材料的微观结构进行分析,测试其场发射性能。结果显示,氧化锌纳米材料为钉子状结构,每个氧化锌纳米钉由几微米大的钉帽和细棒组成,垂直于基底生长。场发射性能研究表明它具有较低的开启场强,高的发射电流和好的稳定性,是一种优良的冷阴极电子发射源。

基于LED光立方的音频谱显示

研究一种基于STC12C5A60S2增强型单片机作为主控芯片的光立方音频谱显示方案。以STC单片机为核心,以74HC573为锁存器,采用与点阵相同的动态扫描驱动显示原理,实现LED的光立方显示。同时利用音频输入,结合FFT算法,实现音频谱的光立方显示,给人以良好的视觉和听觉感受。

氧化锡薄膜场致发射研究

利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜进行场致发射测试,结果显示,在氧化锡薄膜厚度为60nm时,场致发射性能最佳,当电流密度为10μA/m2时,开启电压为4.5 V/μm,阴阳两极电场为7 V/μm时,有较佳的场发射密度,同时发光亮度达到2180 cd/m2,结果表明,氧化锡薄膜在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。

基于MC51单片机的直流电机PWM调速系统

介绍一种基于MC51单片机控制的PWM直流电机脉宽调速系统。系统利用MC51单片机的定时器来产生PWM脉冲,利用TLP250光耦实现控制单元与驱动单元的强弱电隔离,采用驱动芯片IR2110、FGA25N120构成的H桥电路,对直流电机调速,利用光耦PC817和AD0832构成的电压采集单元实现系统的闭环控制。该系统实现了电机调速、保护、转速检测和显示等多种功能。测试结果表明,该系统具有良好的工作性能。

SnO_2厚膜NO_2新型气敏元件的研制

根据霍耳效应,用真空镀膜法制备之SnO2厚膜,制备了NO2新型气敏元件,并对其气敏性能进行了测试。结果表明:在一定的温度和湿度下,即使没有加热,元件对体积分数为20×10–6的NO2气体的灵敏度可达5.94,响应时间为36 s,恢复时间为22 s。因此,利用霍耳效应来制作气敏元件是一条可行的新思路。

基于安卓系统的均衡器算法的仿真及应用

针对安卓系统原生Audio Effect框架不支持32 bit音频的问题,提出了采用FFmpeg开源音视频框架自定义新的Audio Effect框架。选用高阶音频参数多波段均衡器算法的巴特沃斯部分作为滤波,对该算法进行分析、验证和应用测试。仿真和测试结果显示,该方法可以提高均衡准确性,达到设计要求。

基于霍耳效应的气敏传感器的研制

利用霍耳效应成功地研制了WO3半导体气敏传感器。这种新型传感器不仅可以根据需要输出几毫伏至几十毫伏甚至几百毫伏的直流电压,而且具有其它半导体传感器所没有的优点——无需另外加热。在实验中对NO2气体进行检测,结果表明:传感器的输出霍耳电动势在几毫伏到几百毫伏之间,且随待测气体浓度变化而变化。因此,利用霍耳效应制作气敏传感器是一条完全可行的新思路。

平栅型双层膜阴极的脉冲电压处理及场致发射性能研究

采用脉冲电压法对平栅双层膜阴极进行处理,进一步提高其场致发射性能。采用磁控溅射法在平行栅电极上溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,并对薄膜进行AFM分析,通过场致发射测试结果表明,经过脉冲电压法处理后的平行栅双层膜阴极的发射性能,如亮度、均匀度等有了很大的提高,阳压为3 000 V,栅压为190 V,其腔体亮度可达462 cd/m2。平行栅双层膜阴极的脉冲电压处理可以有效改善阴极的场发射性能,为改善SED阴极结构及材料提供了一条有效的实验方法。

氧化铋纳米线的制备及场发射性能研究

以NaOH和Bi(NO3)3.5H2O为原料,以庚烷、油酸和丙酮为分散剂,在室温下,制备氧化铋纳米线材料。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)分析产物结构和形貌,分析可知该氧化铋纳米线直径约50nm,长度几微米至几十微米之间。通过丝网印刷,制备氧化铋纳米线阵列,并进行场发射性能测试,结果表明,当电流密度0.1μA/cm2时,开启电场2.6V/μm,良好的场发射性能说明氧化铋纳米线在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。

有机溶剂对氧化铋纳米结构形貌和场发射性能的影响

为了研究有机溶剂对化学合成法中生成的氧化铋纳米材料结构及场发射性能的影响,反应过程中,分别添加三个不同剂量的有机溶剂,获得三种产物。利用扫描电镜对其结构进行分析,并进行场发射性能测试,结果表明,线状的氧化铋纳米材料阴极阵列,开启电场最小,为2.6 V/μm,场增强因子最大,为2160,场发射性能最佳,手状结构的氧化铋纳米材料阴极阵列场发射次之,类手状结构最差,最后对有机溶剂对不同形貌产生的原因进行了分析。

平栅型双层膜的场致发射性能研究

通过在平栅型基板上,分别溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,形成阴极场发射阵列,并在阴极和栅极之间加载脉冲电流,使阴栅级之间的薄膜形成裂缝,并进行场致发射性能测试,测试结果表明,平栅型双层膜发射器件的开启电压随阳极电压增加而降低。在阳压为3000 V,隔离子高度为500μm时,平栅型双层膜场发射器件的开启电压为110 V,在栅压为110 V时的发射效率为1%左右,随着栅压的增大,发射效率逐渐减小。该双层膜阴极具有均匀的发射性能、良好的栅控能力以及场发射特性。

场致发射显示器基板形变分析

采用表面效应单元施加表面载荷的方法来研究场发射显示器基板支撑系统。预先设定基板承受力,以基板的面积、厚度为参数来进行模拟,利用ANSYS有限元分析软件建立基板模型,采用二维模型和三维施加表面载荷的方法,进行模拟仿真,得出基板形变、应力与基板厚度、面积的关系,为支撑墙的排列优化提供理论参考。

GPS数据通讯中CRC校验原理及其Verilog HDL语言实现

GPS数据通讯时,接收端对接收到的数据进行差错校验,再将得到的校验码和接收到的校验码比较,如果二者一致则认为传输正确,如果是指令则执行,否则予以拒绝。本文介绍了循环冗余码基本原理、GPS数据通讯中冗余校验,从校验原理入手,具体给出其逻辑电路和Verilog HDL语言实现。

基于FPGA的智能函数发生器的设计

介绍了一种基于FPGA的智能函数发生器的设计.采用EDA技术对此设计进行功能仿真和时序仿真,在EDA/SOPC系统开发平台上实现程序下载,同时在示波器上观察波形输出.结果表明采用该设计能够生成递增斜波、递减斜波、方波、三角波、正弦波及阶梯波等,并可以对频率进行调节,实现了信号发生器的功能.

电泳沉积制备平行栅碳纳米管场发射阴极的研究

利用磁控溅射、光刻、湿法刻蚀和电泳技术在玻璃基片上成功制备平行栅场发射阴极阵列,用光学显微镜、场发射扫描电镜和拉曼光谱观察了碳纳米管的形貌和结构,并测试所制备的平行栅碳纳米管阴极的场发射性能。光学显微镜和场发射电子显微镜测试表明,平行栅结构阴极和栅极交替地分布,同一个平面内,CNTs有选择性地沉积在平行栅结构中的阴极表面。场发射测试表明,平行栅CNTs场发射阴极的开启电压为155V,发射电流高达268μA,场发射特性完全由栅压控制;此外,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,开启电压更低,发光均匀性更好,具有更好的发射特性。

衬底电极对SnO_2纳米材料场发射性能的影响

采用高温气相氧化法分别在Si、Au、Cr和不锈钢等不同的衬底上生长氧化锡(SnO2)纳米材料,并对SnO2的表面形貌进行表征和场致发射性能测试。研究结果表明,以Si、Au、Cr、不锈钢为衬底,其场致发射的开启电场分别为3.6、2.3、2.45、1.7V/μm。不锈钢衬底电极SnO2阴极的场致发射性能最好,硅衬底电极SnO2阴极的场发射能力最差。