两步水热法制备枝干状ZnO纳米结构的研究

采用两步水热法,第1步利用Au作为催化剂生长ZnO纳米杆;第2步利用醋酸锌分解成ZnO纳米颗粒作籽晶层在ZnO纳米杆的侧壁生长ZnO纳米枝条,在Si片上成功制备了枝干状ZnO纳米结构。利用SEM、XRD分别表征枝干状ZnO纳米结构的形貌和晶体结构,研究籽晶层、反应液浓度、反应时间等参数对枝干状ZnO纳米结构形貌的影响。结果表明,Au作为催化剂生长的ZnO纳米杆具有沿(103)面择优取向生长的特性,而籽晶层对在侧壁生长ZnO纳米枝条至关重要。通过调节反应参数,可控制枝干状ZnO纳米结构的形貌,当反应液浓度越小,反应时间越长,纳米枝条越细、越长。所制备的枝干状ZnO纳米结构具有很好的生物兼容性,可作为细胞支架材料。

基于氧化锡薄膜的表面传导场致发射阴极阵列的制备及性能研究

利用磁控溅射和阳光刻技术在玻璃基底上成功制备了不同厚度SnO2的表面传导场致发射阴极阵列,并测试其场致发射性能。X射线衍射和X射线光电子谱测试表明,沉积在阴极和栅极之间的薄膜为SnO2薄膜;原子显微镜测试表明,SnO2薄膜形貌的粗糙度随沉积时间的增长而增加,晶粒大小也随着膜厚的增加而增大。场发射测试表明,制备的SnO2表面传导场致发射阴极阵列的传导电流和发射电流完全被栅极电压控制;在SnO2薄膜厚度为60nm时,阳极电压和栅极电压分别为3200 V和200 V,阴阳间距为500μm时,SnO2表面传导场致发射阴极阵列的电子发射效率为0.72%,发光亮度为650 cd/m2,表明SnO2薄膜在表面传导场致发射阴极阵列方面有着较好的应用潜力。

提高多视点立体显示运动视差连续性的光栅设计

研究多视点裸眼立体显示视区变换,提出一种利用压缩视点间距提高立体显示运动视差连续性的方法,实现只需人眼微小的空间位移就可获得立体图像的更换。以四视点柱面透镜光栅裸眼立体显示为例,对成像原理进行了研究,推导出视点间距压缩后立体显示系统各个参数之间的关系,并重点分析了立体显示视区的周期性特征。采用TracePro光学软件进行仿真论证,结果表明,通过压缩视点间距,在没有引入新串扰度分量的前提下,可有效提高立体显示视点的连续性。

用于减少LCD黑矩阵的透镜设计与仿真

提出一种裸眼立体显示技术减少LCD显示器黑矩阵的方法。在显示屏前方设置透镜模组,子像素发光面经透镜扩束使发光面扩充至黑矩阵大小来减少莫尔条纹。设计透镜参数,建立光学模型并由TracePro光学仿真软件进行模拟与分析,验证模型正确性。

平栅型氧化锡表面传导电子发射源的制备及场发射性能研究

利用磁控溅射、光刻和剥离技术在玻璃基底上成功制备了平栅型氧化锡表面传导电子发射源，并测试其场发射性能。扫描电镜和光学显微镜测试表明，沉积在阴极和栅极之间的氧化锡为不连续薄膜，直径大约在100～200nm。场发射测试表明，电子发射源的传导电流和发射电流完全被栅压控制。在阳压和栅压分别为3200V和210V时，阴阳间距为500μm时，平栅型氧化锡表面传导电子发射源的电子发射效率为0．85％，发光亮度为850ed／m2，表明氧化锡薄膜在表面传导电子发射源方面有着较好的应用潜力。

基于全印刷技术的四针状氧化锌表面传导场发射器件

利用全丝网印刷技术制备四针状氧化锌表面传导场发射器件,并测试其场发射性能。SEM表明所合成的四针状氧化锌均匀地沉积在阴栅间隙,形成传导层。场发射测试结果表明,随着阳极电压增高,阳极电流增大,开启电压降低。当阳极电压为2 400 V时,器件的开启电压降为70 V;栅压为120 V时,器件最高亮度达550 cd/m2。对器件进行450 min的电流稳定性跟踪测量,其阳极电流波动在4%以内,表明该器件具有良好的场发射稳定性。

Fabrication and field emission characteristics of a novel planar-gate electron source with patterned carbon nanotubes for backlight units

This paper describes the fabrication of backlight units（BLUs） for a liquid crystal display（LCD） based on a novel planar-gate electron source with patterned carbon nanotubes（CNTs） formed by electrophoretic deposition. The electric field distributions and electron trajectories of this triode structure are simulated according to Ansys software.The device structure is optimized by supporting numerical simulation.The field emission results show that the emission current depends strongly on the cathode-gate gap and the gate voltage.Direct observation of the luminous images on a phosphor screen reveals that the electron beams undergo a noticeable expansion along the lateral direction with increasing gate voltage,which is in good agreement with the simulation results.The luminous efficiency and luminance of the fabricated device reaches 49.1 lm/W and 5500 cd/m^2,respectively.All results indicate that the novel planar-gate electron source with patterned CNTs may lead to practical applications for an electron source based on a flat lamp for BLUs in LCD.