薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究

为了降低薄膜晶体管的寄生电容,一种新型平坦化材料被引入。单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果。为此,提出了将RIE和ECCP相结合的方法用于新型平坦化层的刻蚀。实验结果表明:当平坦化层厚度为2.0μm时,先以RIE模式7 kW/20 Pa条件刻蚀1.5μm,再以ECCP模式5 kW+4 kW/8 Pa条件继续刻蚀平坦化层及其下方的氮化硅,刻蚀出的过孔图形表面光滑,氮化硅层无底切,平坦化层孔径均值6.12μm。本研究结果为后续采用该平坦层材料的高分辨率、低功耗产品的设计和生产打下了坚实基础。