InSb晶片的显微拉曼研究

对热处理前后的InSb晶片进行了显微拉曼面扫描测试,开发了一种新的InSb晶片应力面分布表征方式。热处理前后InSb晶片的横向光学(Transverse Optical,TO)声子散射峰分别位于179.3 cm^(-1)和178.5 cm^(-1);纵向光学(Longitudinal Optical,LO)声子散射峰分别位于188.8 cm^(-1)和188.7 cm^(-1);特征峰的半峰宽分别为5.8 cm^(-1)和5.0 cm^(-1)。X射线双晶衍射曲线半峰宽值分别为12.10~20.04 arcsec和7.61~7.74 arcsec。用经热处理后的晶片制得的器件在80℃烘烤20天后,盲元增加量较小,整体数量较少。这表明热处理释放了晶片的残余应力,对后期抑制器件新增盲元存在有利影响,为新一代超高性能、超大面阵红外探测器的制备奠定了材料基础。

超声振动辅助微挤压成形界面摩擦特性研究

基于超声振动辅助微挤压成形过程摩擦特性表征需求,将超声振动辅助双杯挤压实验拆分为超声振动辅助正杯挤压和反杯挤压两个部分。通过超声振动辅助T2紫铜正杯挤压和反杯挤压的对比成形实验研究了不同超声振动模式辅助微挤压成形过程中试样-模具型腔间的界面摩擦特性,并提出一种量化评价新方法来评估超声振动辅助微挤压成形试样-模具型腔间摩擦应力及摩擦因数的变化规律。结果表明,微挤压成形应力降低值和试样-模具型腔间的摩擦应力降低值都随着超声振幅的增大而增大,且随着工具超声振动、工具-工件复合超声振动和工件超声振动的不同超声振动模式顺序依次增大。

CdSeTe分子束外延技术研究

对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。

碲锌镉衬底的化学机械抛光液研究

作为碲锌镉衬底表面加工的重要工序,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)的加工效果决定了碲锌镉衬底的表面质量和生产效率。抛光液是CMP的关键影响因素之一,直接影响衬底抛光后的表面质量。对碲锌镉衬底CMP工艺使用的抛光液进行了研究,探究了以二氧化硅溶胶和过氧化氢为主体的抛光液体系在不同pH值、不同磨料浓度下对衬底抛光表面质量和去除速率的影响。结果表明,使用改进后的抛光液体系对碲锌镉衬底进行CMP,能够在获得超光滑表面的同时实现高效率加工,为批量化制备高表面质量的碲锌镉衬底奠定了良好基础。

C波段2MeV驻波加速管物理设计

为了发展结构紧凑、小束斑加速器,进行了C波段驻波电子直线加速器加速管的物理设计和研究。利用多级聚束和大孔径注入方法,抑制空间电荷效应。加速管由3个聚束腔和4个加速腔组成,长约163mm,馈入微波功率源1MW。在最终的数值模拟中,得到脉冲电流约150mA,俘获效率优于30%,在加速管出口外约14mm处,对电子的横向分布进行非线性Gauss拟合,得到束斑直径(FWHM)约为0.55mm。

低反轰热阴极微波电子枪初步实验

简述了紧凑型自由电子激光太赫兹源研制的系统设计方案,介绍了具有两路微波馈入的热阴极微波电子枪的研制与测试情况,利用束流传感器测试了束流强度,并利用CCD相机测试了束斑大小,给出了微波电子枪通过初步热测实验得到的结果。测得微波电子枪出口处束流强度超过500mA,束斑约3mm,采用双屏法测量束流发射度,得到归一化发射度约为13.5π.mm.mrad,测试指标与理论设计值吻合较好。

低反轰多腔热阴极微波电子枪物理设计

为了开展基于自由电子激光的紧凑型太赫兹源技术研究,获得高品质(强流、低能散、低发射度)电子束,提出了一个低反轰双路微波馈入多腔热阴极微波电子枪的设计方案。用两路独立微波馈入激励微波电子枪,一路由首腔馈入激励首腔和实现阴极表面建场引出电子,另一路由后续腔馈入并通过腔间耦合激励各腔。两路微波互不耦合,通过移相器实现首腔和第2腔之间的相移连续可调。理论模拟结果表明:在一个射频周期内,热阴极微波电子枪的电子反轰功率约8 kW,平均反轰功率仅为1.2 W(重复频率25 Hz和脉宽6μs)。

锑化铟晶体材料的发展及应用

锑化铟(InSb)晶体材料自发现伊始,基于其独特的物理化学性质和优良的工艺兼容性,成为了半导体材料领域研究的热点。近几十年来,由于其在红外探测领域的应用前景,更是深受国内外研究机构的广泛关注和重视,技术发展迅速。目前,InSb晶体材料作为制备高性能中波红外探测器的首选材料,应用前景和商业需求巨大,基于InSb晶体材料的红外探测器的快速发展更是大大提升了红外系统的性能,促进了红外技术在军民领域的广泛应用。本文主要介绍了InSb晶体材料的性质,梳理了国内外各公司及研究机构关于InSb晶体材料的研究进展,以及其在红外探测领域的应用情况,对其发展前景和趋势进行了展望。

基于中间站最优的公交线路优化调整研究

数量众多的城市公交线路和公交站点密布在中心城区,在给居民提供便捷通行的同时,也给城市交通带来了诸多难题.大量的公交车辆在同一个中间站到发,导致车辆停靠时排队延误严重是最普遍的问题,尤其是在早晚交通高峰时段.本文从公交中间站所服务的公交线路数和各线路车辆停靠时间特征入手,以各线路车辆在研究站点区域无延误到发为控制目标,结合车辆停靠时间特性和乘客出行需求特点,确定公交站点的最优通行能力,即不产生因车辆排队而造成延误的最大服务能力,并给出调整冗余线路的优化方法,最后通过一个算例来验证模型的实用性.

地方高校精品课程优质资源共享机制探索

精品课程建设是国家实施质量_T-程的重要内容，精品课程优质资源共享是国家推进精品课程建设的出发点。文章在对精品课程优质资源共享的现状、存在的问题进行分析的基础上，提出了加强精品课程优质教学资源共享的对策。

C波段加速器初步热测实验

为了开展加速器小型化技术研究,进行了C波段2 MeV驻波加速器研制工作。目前,该加速器研制取得了显著进展,完成了全密封加速管的焊接,建立了加速器热测实验平台。在重复频率50 Hz情况下,进行了初步热测出束实验,利用电离室剂量仪测试了加速器靶前1 m处的X射线剂量率,并利用钢吸收法测试了电子束的能量。初步实验结果表明:电子束能量约2.5 MeV,剂量率超过330 mGy/(min.m)。

高校推进马克思主义大众化的三个结合研究

高校在推进马克思主义大众化进程中具有举足轻重的责任和独特优势。在新的起点上,高校推进马克思主义大众化要做好"三个紧密结合":把马克思主义的科学性与通俗性紧密结合起来,不断增强马克思主义大众化的实效性;把显性教育与隐性教育紧密结合起来,不断提升马克思主义大众化的系统性;把马克思主义理论队伍建设与推进大众化的制度建设紧密结合起来,不断构建马克思主义大众化的长效机制。

独立调谐热阴极微波电子枪电子反轰效应

为开展自由电子激光太赫兹技术研究,研制出利用两路微波馈入的独立调谐热阴极微波电子枪,建立了热测实验装置,并进行了束流测试和电子反轰效应的热测实验研究。实验结果表明,该微波电子枪出口处束流强度可超过500mA,电子反轰效应随着首腔电场的相位和幅度调节发生显著变化。

交叉口纵向交通标志设置距离研究

交通标志的合理配设不仅是城市道路交通流的管理、控制模式所需,亦是明确交通法规执行和交通路权的必备途径,对提高道路通行效率和道路交通安全运行水平有重要影响。本文以指路标志为研究对象,从详细分析指路标志作用机理过程及其在交叉口纵向上设置的影响因素入手,在充分考虑交叉口进口道方向交通流的正常通行秩序基础上,以受该指路标志引导的车辆在行驶过程中互相干扰最小为控制目标,建立交叉口纵向交通标志的选址概率模型。为确定交通标志在交叉口纵向设置的最小间距、城市道路交叉口渠化和交通标志的布设、优化等提供可借鉴的研究方法和思路。

大众化教育阶段应用型本科院校教研室建设与改革的思考

教研室作为高校的基层学术组织,其工作状况直接关系到人才培养的质量。文章从高校教研室的功能定位入手,分析了当前应用型本科院校教研室存在的问题,提出了教研室建设与改革的应对措施。

4英寸高质量InSb晶体生长研究

InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in InSb抛光晶片。测试表明,直径大于120 mm的晶体长度超过100 mm,晶体位错密度小于100 cm^(-2),其电学参数均匀,载流子浓度、载流子迁移率均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。这为新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展奠定了良好的材料基础。

InSb晶片的机械加工损伤层研究

结合X射线衍射技术以及逐层化学腐蚀剥离损伤层的方法,定量分析了InSb晶体由于切割、研磨、抛光等工艺所引入的损伤层的深度,并探讨了损伤层结构及引入因素。研究结果表明,切割加工是引入InSb晶片表面损伤层的主要工序,其表面损伤层的深度达到16μm左右;双面研磨的InSb晶片表面的损伤层深度约为12μm;经机械化学抛光加工后的InSb晶片表面的损伤层深度明显减小,约为2μm。

高校思想政治教育生活化探究

大学生思想政治教育生活化,是新时期高校思想政治教育发展的趋势。针对传统思想政治教育理想化、知识化和工具化等弊端,要从坚持"以人为本",实现教育理念的人本化;注重实践道德生活,实现教育目标的现实化;取材于现实生活,实现教育内容的具体化;通过实际的生活进行思想政治教育,实现教育方法的多样化和创设"合乎人性发展的环境",实现教育环境的德育化等方面来建构高校思想政治教育生活化范式。

基于高温热处理的InSb晶片性能研究

近年来,为了满足新一代百万像元、高集成度、高性能红外焦平面探测器的发展需求,人们对高晶格质量、高表面状态InSb晶片的要求越来越高。为了提高用生长态晶体加工的InSb晶片的性能,对晶片高温热处理进行了研究。通过采用特殊设计的晶片承载装置并结合相应的晶片热处理配合方法,优化了晶体生长态遗传的固有缺陷以及由晶片加工过程引入的加工缺陷;改善了InSb晶片的化学计量比,释放了晶片内部的残余应力;提高了晶格质量,优化了晶片整片的平面度,最终提高了InSb晶片的整体质量,为制备高性能大规格红外焦平面探测器奠定了材料基础。

双发公交发车频率优化模型研究

合理协调的公交运营调度是优先发展城市公共交通的重要举措,是提高城市公共交通出行效率、改善城市公交服务水平的重要途径。文中在分析单发公交缺陷的基础上,建立了适宜在城市交通高峰时段使用的双发公交发车频率模型,并以公交乘客利益最大化、兼顾公交企业的效益为目标对其进行了优化;结合实际调查数据对优化模型进行验算,证明其相比于单发公交的发车模式具有更好的适用性和实用性。