ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善

为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留。本文研究了光刻胶灰化工艺条件对a-Si膜层残留的影响,结果表明压力、偏压射频功率是产生膜层残留的主要因素,O2用量为次要因素。通过光刻胶灰化工艺优化得出了改善膜层残留的条件压力≥2.66 Pa,源极功率∶偏压功率≥3∶1,qv(SF6)∶qv(O2)≥1∶60,对感应耦合等离子体设备在光刻胶灰化工艺中的进一步应用具有非常重要的意义。

干法刻蚀方面过孔截面的异常凸出机理研究与改善

本文采用了鱼骨图,DOE田口设计的分析方法,使用电感耦合等离子体刻蚀设备对准备刻蚀PVX层过孔的有机膜型玻璃基板进行刻蚀,根据实验的结果,确定了发生的工序,通过对有机膜型玻璃基板过孔截面部位的异常凸出机理影响因素进行分析,改善工艺刻蚀条件中压力,等离子体轰击功率,刻蚀气体的比例流量参数,解决了有机膜型玻璃基板在过孔刻蚀截面的异常凸出问题。