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MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型 被引量：1
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作者 代月花 陈军宁 +2 位作者 柯导名 孙家讹 徐超 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2164-2168,共5页
根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟... 根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟结果相吻合,证明了该模型的正确性和准确性. 展开更多
关键词 多晶硅 量子效应 拟合参数 屏蔽长度 电势分布函数 场强分布函数
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