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光学头中单片光电集成硅基PDIC的设计
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作者 柯庆福 程翔 +3 位作者 芦晶 张寅博 李继芳 陈朝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1016-1019,共4页
针对应用于DVD光学头的关键部件PDIC,设计了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的硅基PDIC。芯片采用CSMC的0.5μmBCD工艺,集成了p-i-n探测器与前置放大电路。重点介绍了p-i-n光电探测器及前置放大电路的设计思想。仿真结果表明... 针对应用于DVD光学头的关键部件PDIC,设计了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的硅基PDIC。芯片采用CSMC的0.5μmBCD工艺,集成了p-i-n探测器与前置放大电路。重点介绍了p-i-n光电探测器及前置放大电路的设计思想。仿真结果表明,用于光电检测的p-i-n光电探测器在650 nm光照下响应度达0.2 A/W,互阻放大器的-3 dB带宽达到94 MHz,跨阻增益达150 kΩ。可以满足DVD系统的性能要求。 展开更多
关键词 单片集成 DVD BCD 光电探测器 前置放大器
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光收发器中光电集成接收芯片的实现
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作者 芦晶 程翔 +3 位作者 颜黄苹 李继芳 柯庆福 陈朝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期291-294,共4页
针对应用于850nm光通信中的10/100Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成。整体芯片面积为0.6mm2,共集成了一个双光电二极管的(DPD)光电探测器和一个跨阻前置放大电路,功耗为100mW,并给出了具体的测... 针对应用于850nm光通信中的10/100Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成。整体芯片面积为0.6mm2,共集成了一个双光电二极管的(DPD)光电探测器和一个跨阻前置放大电路,功耗为100mW,并给出了具体的测试性能结果。结果表明,在850nm光照下,光接收芯片带宽达到53MHz,工作速率为72Mbit/s。重点介绍了DPD光电探测器的原理和结构,并给出了相应的制造过程和电路等效模型,对整个光接收芯片进行了多种实用性测试,可以满足系统的性能要求。 展开更多
关键词 单片集成 互补型金属氧化物晶体管 双光电二极管 光接收芯片 850 nm光通信
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