场发射平板显示器件的进展

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。

场发射平板显示器件

综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件（FED）的原理、结构和制作工艺及发展水平。展望FED的前景并介绍了国际上围绕FED展开的激烈竞争。

FED发展面向何方

曾在1988年6月于美国召开了第一届国际真空微电子学会议(1th IVMC′88),它标志了一门新学科——真空微电子学(Vacuum Microelectronics)的正式诞生。此后每年召开一次,1996年7月已经是第9次会议了。每届会议参加者都十分踊跃。 真空微电子学的理论基础是场致发射(以下简称场发射)理论及真空电子学理论。而场发射理论与实验研究则已有几十年的历史。1961年Shoulders K.P.提出了用场发射电子源的纵向及横向真空微三极管的概念,奠定了真空微电子学的基础。1996年斯坦福研究所(SRI)的Spindt C.A.

真空微电子学1996 我们正在哪里,我们要去何方

译者序 近年来真空微电子学的发展十分迅猛。去年七月在俄罗斯圣彼德堡召开的第九届国际真空微电子学会议 上有166篇论文发表,本文为这次大会的特邀报告。 值得注意的是几家即将把场发射显示器件(FED)推向市场的公司都没有发表有实质性内容的论文。这很可能是FED上市前的短暂沉寂和商业需要。FED究竟何时能够实现商品化?工作在GHz范围的场发射阵列(FEA)阴极何时能在射频功率放大器上得到实际应用?真空徽电子学又出现了哪些新技米和新的应用?等等,这些都是学术界和产业界十分关注的问题。 真空徽电子学权威之一,美国海军实验室的Henry F.Gray博士在本届国际真空徽电子学会议上的特邀报告中全面而概括地讨论了这些问题,对真空徽电子学的进一步发展作了谨慎的预见。他认为由于在科学技术土已没有明显的障碍,FED在一年内应能实现商品化。他还提出一个有趁的历史性问题:1948年开始了从真空君件到固态器件的过渡。在21世纪开端,我们能否看到从固态簇件到真空器件的回归呢?至少在策微电子学领域中的特殊应用场合是如此。1996年法国的PixTech及日本的Futaba公司终于向世界发布了5 .2英寸FED的商品广告,从而将FED推向市场,将预告1997年将推出8.5英寸的VGA级全彩色FED。这证实了Henry博士预见的准确性。

场发射平板显示器件

本文概述真空微电子技术的发展及特点。综述了场发射平板显示器件（ＦＥＤ又称平板ＣＲＴ）的优点及其广泛用途。概述了场发射显示器好的结构和工作原理。综述ｓｐｉｎｄｔ型、硅尖锥型及薄膜边缘型三种场发射阴极的制作工艺、性能水平以及制作显示器件所后材料的特点及制作工艺。对目前国际上ＦＥＤ的典型参数加以比较并概述对ＦＥＤ未来市场的预测情况，此外，我们利用ｓｐｉｎｄｔ型阴极研制了平板显示器的原理性样管，在栅、阳极为４００ｖ，６００ｖ时在荧光屏上显示出足够亮的光点，还设计了像素数为１２８×１２８的平板显示器并用矩阵选址方式控制显示图形。现正在作材料和工艺论证并着手进行试制。

薄膜边缘场发射电子源

利用薄膜边缘的强电场，可以制成场致发射电子源，它已成为真空微电子学的一个重要组成部分。这种类型的边缘场发射体阵列，杂散电容低，很适合于超高速器件，用它作成的开关元件，开关速度可达皮秒量级，在数字电路中亦有很好的应用前景。本文采用自对准的制作工艺，简单易行。在具体的实验过程中，边缘发射体阵列有两种，一种为锯齿状，一种为梳状，薄膜沉积采用了离子束溅射、射频磁控溅射两种方法，用晶体管特性图示仪和ＨＰ４１４０８在真空测试台中进行电参数测量，得到了二极管特性曲线，并对测试结果进行了分析和讨论。

真空微电子学与微波毫米波器件

早在40年代,K.R.Shoulders就提出了真空微电子器件的一些新设想.1961年发表了真空微电子器件的系统的论证文章.其后SRI开展了系统的研究工作,直到 1988年6月在美国召开了首届国际真空微电子学会议.它标志着一个新学科—真空微电子学的诞生.目前这一领域强烈地吸引着各国科学家的注意,掀起了一个研究的热潮.人们认为,这是继电子管,半导体器件之后的第三代新型电子器件.它将成为21世纪初的重要电子器件之一,对未来电子技术的发展有着深远的影响.