高热稳定性低电阻率钴钡掺杂氧化锰薄膜电极材料制备

通过化学溶液共沉积结合旋涂技术,制备了钴(Co)钡(Ba)掺杂的二氧化锰(MnO_2)薄膜电极材料,在微晶玻璃电容器接近击穿时断路,从而起到保护电路的作用。对材料进行表征的结果表明,此种方法制备的Co、Ba掺杂的MnO_2其热稳定温度达到850℃,高于纯MnO_2薄膜电极的600℃。材料的电阻率下降,在Co含量为8mol%时,材料的电阻率达到0.207Ω·cm,接近纯MnO_2的电阻率。MnO_2电极在玻璃基片上附着性良好且厚度均匀。材料的高热稳定性和低电阻率可提高其应用效率。