NiO钉扎的自旋阀的结构和磁性

利用反应溅射的方法制备了ＮｉＯ薄膜，并研究了ＮｉＯ对ＮｉＦｅ薄膜的钉扎作用，结果表明钉扎场与反应溅射时的Ａｒ／Ｏ２比例、总的溅射气压、基底的粗糙度等有很大关系．利用光电子能谱（ＸＰ）分析了ＮｉＯ２中的Ｎｉ，Ｏ离子的价态．并制备了ＮｉＯ钉扎的自旋阀Ｔａ／ＮｉＯ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／Ｔａ，其磁电阻（ＭＲ）可达到２．２％，钉扎场为１０．４８ｋＡ／ｍ．

离心泵机械密封泄漏现象分析

基于机械密封是离心泵的结构和工作原理,分析了离心泵用机械密封常见的泄漏现象,分析了泄漏原因,并提出了解决方案。

自旋阀结构多层膜的热稳定性

研究了Si／Ta／NiFe／Cu／NiFe／FeMn／Ta结构的自旋阀的热稳定性及层间扩散问题．高分辨电镜（HREM）观察表明，各层呈柱状晶生长．低于200°C退火能有效地提高钉扎场．高于200°C退火后，钉扎场下降，300°C时降为零．利用俄欧电子能谱仪（AES）研究了在相同的条件下制备的基片／Ta／NiFe／FeMn／Ta结构多层膜．结果表明，200°C以下时薄膜层之间主要发生沿晶界的扩散，300°C时体扩散的作用不能忽略．

质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜

利用一种全新的薄膜生长技术—质量分离的双离子束沉积技术 ,在较低温度 ( 40 0℃ )下对CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )薄膜的生长进行了研究。两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响 ,较高能量 ( 3 0 0eV)的离子束对薄膜有轰击作用 ,并有助于薄膜的择优取向生长。在 4 0 0℃时 ,制备了CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )单晶薄膜。

磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质

利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.

稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究

介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy,IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法。以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为原材料来产生大束流稀土元素离子,通过准确控制双束合成或单束浅结注入掺杂的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、沉积剂量与配比及生长温度,在超高真空生长室内实现了稀土功能薄膜的高纯生长和低温优质外延。文中除了对新方法的技术特点、实施方式和应注意的关键技术进行了阐述,还结合CeO2,Gd2O3,GdxSi1-x等薄膜的制备研究,讨论了离子的束流密度、剂量配比、能量和生长温度等生长参数对成膜质量的影响。

低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni_(80)Fe_(20)/Cu的结构与磁电阻

采用磁控溅射方法，获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20／Cu由金属多层膜.在室温下，其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化．在Cu层厚度tcu＝1．0nm，2．2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19．4％和11．7％，饱和场约为6．4×104A／m和8×103A／m，低温下（77K）磁电阻为对33.2％和27.6％．系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响．用真空退火方法对样品进行热处理，发现多层膜的磁电阻性能有明显改变．

离子束外延生长半导体性锰硅化合物

利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6

磁性多层膜的X射线光电子能谱研究

用射频 /直流磁控溅射法制备了NiOx/Ni81Fe19和Co/AlOx/Co磁性薄膜。利用X射线光电子能谱研究了NiOx 对Ni81Fe19耦合交换场Hex与NiOx 化学状态的关系以及Co/AlOx/Co磁性薄膜中AlOx 对Co膜的覆盖状况。结果表明 :Hex的大小只与 +2价镍有关 ,单质镍和 +3价镍对Hex没什么作用 ;在Co/AlOx/Co磁性薄膜中 ,Al层将Co膜完全覆盖所需要的最小厚度为 2 .0nm ,用角分辨XPS测出的Al氧化厚度为 1

Ni_(80)Fe_(20)/Cu多层膜界面原子结构的分析

近来 ,超薄层的Ni80 Fe2 0 /Cu多层膜因其在巨磁电阻 (GMR)器件上的潜在应用而引起了极大的研究兴趣。众所周知 ,薄膜的电学和磁学性质明显地依赖于薄膜的微结构 ,如膜层的结晶性、应变分布、界面粗糙度以及原子互扩散等。由于巨磁电阻主要起源于界面自旋相关散射 ,有必要对Ni80 Fe2 0 /Cu多层膜的界面结构进行表征。但是 ,由于Ni80 Fe2 0 /Cu的原子散射因子差别非常小 ,用常规的X射线和电子衍射技术无法分析Ni80 Fe2 0 /Cu多层膜的界面结构。为克服这一困难 ,我们利用小角DAFS(衍射异常精细结构 )技术成功地分析了Ni80 Fe2 0 /Cu界面的原子密度和结晶性。所有样品都是用直流磁控溅射法在Si( 0 0 1 )衬底上制备的 ,其名义结构为 :Si( 0 0 1 ) /Fe( 80nm) / [Ni80 Fe2 0 ( 1 .8nm) /Cu(t) ]3 0 。其中 ,Fe为缓冲层 ,Cu层厚度分别为 0 .96nm和 0 .7nm。样品在优于 1 0 -3 Pa的真空中 ,1 5 0℃和 2 5 0℃的温度下分别进行了 1h的退火处理。用同步辐射X射线测量了样品特定衍射峰的强度随入射X射线能量的变化 ,即小角DAFS谱。结果分析表明 ,相对于Ni80 Fe2 0 和Cu体材料的原子密度差 (Δ0 )而言 ,多层膜中Ni80Fe2 0 和Cu的原子密度差别 (Δ)在退火之后明显减小 ,同时伴随着局域结晶性的改善。我们的结构还表?

离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究

采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.

磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究

采用离子束技术 ,在n型硅基片上注入稀土元素钆 ,制备了磁性 /非磁性p n结。本文中使用的XPS对制备的样品进行测试 ,利用Origin 7 0提供的PFM工具进行研究 ,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO2 中O1s的束缚能之间 ,Si2p的XPS谱分裂为两个峰 ,其中一个是单质Si的 ,另一个介于单质Si和硅化物之间 ,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间 。

二元高k材料研究进展及制备

随着大规模集成电路的发展 ,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2 ,介绍了有可能替代SiO2 的几种二元材料的研究现状 ,主要包括Si3N4 、Ta2 O5、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3、Gd2 O3和CeO2几种材料的结构和电学性能 ,以及制备薄膜的几种方法 :蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积。

大剂量Mn离子注入GaAs的性质

在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.

巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性

用磁控溅射镀膜方法，制成了巨磁电阻自族间多层膜Ta／NiFe／Cu／NiFe／FeMn／Ta.它具有优良的特性.其室温磁电阻比率MR＞2％，自由层矫顽力Hc1＜160A／m，自由层零磁场漂Hf＜800A／m和钉扎层交换场Hex≈20×103A／m.作为新型磁功能材料，它满足高灵敏磁性传感器和硬盘读出头的要求.对多层膜制备的方法也作了系统研究，并讨论了缓冲层和钉扎层的制备工艺和微结构对磁性能的影响.

西北干旱区文冠果不同繁育技术研究

为了探寻适宜西北干旱区的文冠果繁殖方法与技术,以甘肃选择出的文冠果优良单株为繁殖材料,于2014—2016年对文冠果主要的苗木繁殖方法(播种繁殖、根插繁殖、嫁接繁殖)进行了对比试验研究。结果表明:1)根插繁殖的成活率最高,平均出苗率75.33%;其次是播种繁殖,达50%;嫁接繁殖成活率较差,为27.40%。说明根插和种子繁殖适宜文冠果大规模育苗;2)覆膜播种和大田直播的平均出苗率相差不大,分别为51.31%和51.10%。说明文冠果也可直接大田播种;3)覆膜播种和大田直播均存在出苗不整齐的现象;4)由于砧木质量和低温的影响,嫁接成活率较低。研究认为,在西北干旱、缺水和风大的环境条件下,文冠果最好覆膜播种,播前种子最好进行催芽处理;嫁接最好低位培土嫁接或套袋嫁接。

邯钢焦化厂脱硫系统的改造

邯钢焦化厂年产焦炭210万t，原HPF法煤气脱硫工艺存在缺陷，有部分脱硫废液外排，这部分废液难以处理，从而造成二次污染。另外，生产的硫膏因纯度低、无销路，所以准备用真空碳酸钾脱硫工艺进行升级改造，后续配套克劳斯炉生产硫磺。

川西云杉育苗技术

总结了川西云杉育苗技术,包括苗圃地选择、整地作床、种子处理、适时播种、抚育管理及病虫害防治等内容,以期指导川西云杉在青海地区的种植。