Bi(Mg_(1/3)Zn_(1/3)Nb_(1/3))O_(3)增强(K_(1/2)Na_(1/2))NbO_(3)陶瓷的介电储能性能

采用典型的陶瓷工艺制备了(1-x)(K_(1/2)Na_(1/2))NbO_(3)-xBi(Mg_(1/3)Zn1/3Nb_(1/3))O_(3)(KNN-BMZN)无铅陶瓷,系统研究了BMZN的掺杂量对KNN基陶瓷的相结构、相转变温度和电性能的影响。研究表明,所有陶瓷试样均为单一钙钛矿相,随着BMZN含量的增加,KNN陶瓷逐步从正交相向赝立方相转变,居里温度逐渐下降,并逐步转变为弛豫铁电体;当BMZN含量为12.5 mol%时,陶瓷具有较好的介电储能性能,可释放能量密度为1.63 J·cm^(-3),储能效率为81.5%,且温度稳定性好。因此,(K_(1/2)Na_(1/2))NbO_(3)-Bi(Mg_(1/3)Zn1/3Nb_(1/3))O_(3)陶瓷可以作为低电场用介电储能陶瓷的候选材料。