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硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究(英文)
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作者 胡思福 格林m 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期162-168,共7页
提出了提高径向刻蚀均匀性的一种新颖的方法。在反应离子刻蚀系统中,采用等离子体控制环调节硅氧化物的径向刻蚀速率,刻蚀均匀性在等效于直径为15 cm 硅片上可以达到±3%.
关键词 离子刻蚀 均匀性 硅氧化物 等离子
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