煅烧温度对类石墨相氮化碳的结构和电化学性能的影响

以三聚氰胺为前驱体,采用一步煅烧法制备了二维类石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))。研究了煅烧温度对g-C_(3)N_(4)的结构和电化学性能的影响,并探讨了其在超级电容器中的应用。实验发现,在550℃下煅烧得到的g-C_(3)N_(4)具有最高的比电容。当电流密度为1 A·g^(-1)时g-C_(3)N_(4)的比电容为52.8 F·g^(-1),并且在50 mV/s的扫描速率下经过10000次循环后其比电容保留率达到82.6%。结果表明,通过煅烧三聚氰胺制备的g-C_(3)N_(4)具有二维层状多孔结构,因而表现出较好的电化学性能,特别是g-C_(3)N_(4)可以通过与其他材料的复合进一步提升其电化学性能,有望在超级电容器等储能器件中得到广泛应用。

不同抗衡阴离子自旋交叉分子的制备与表征

基于三氮唑(1,2,4-1H-triazole,Htrz)体系的Fe(Ⅱ)的配合物是一类非常重要的在室温附近发生自旋转变的自旋交叉分子,具有潜在的应用。本文报道了2种基于三氮唑体系的Fe(Ⅱ)的配合物的制备与表征,分别为[Fe(Htrz)_(2)(trz)](CF_(3)SO_(3))和[Fe(Htrz)_(2)(trz)](BF_(4)),并研究了抗衡阴离子对自旋转变行为的影响。自旋交叉分子的制备由2种前驱体简单混合反应而得,结构表征表明三氮唑参与反应,并且产物中的Fe元素基本为Fe(Ⅱ),磁性测试证实了这2种分子存在自旋转变特性,并且这种自旋转变具有温度磁滞效应。实验结果还表明抗衡阴离子对于自旋交叉分子的自旋转变行为有重要的影响。抗衡阴离子空间位阻越小、抗衡阴离子的电负性越强、结构越对称规整,则自旋转变温度越高。