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纳米硅异质结二极管
被引量:
5
1
作者
何宇亮
王因生
+2 位作者
桂德成
陈堂胜
顾晓春
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期34-39,共6页
在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C...
在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。
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关键词
纳米硅
异质结
二极管
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职称材料
聚合物半导体PAn表面场效应管
2
作者
袁仁宽
杨树成
+4 位作者
袁宏
江若莲
郑有炓
钱辉作
桂德成
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第12期743-747,共5页
本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。
关键词
聚合物半导体
场效应晶体管
表面场
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职称材料
宽势阱半导体光电器件研究
3
作者
陈钟谋
桂德成
+1 位作者
朱健
钱辉作
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期195-199,共5页
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达...
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。
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关键词
宽势阱
光电器件
半导体
光电探测器
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职称材料
题名
纳米硅异质结二极管
被引量:
5
1
作者
何宇亮
王因生
桂德成
陈堂胜
顾晓春
机构
南京大学物理系
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期34-39,共6页
基金
国家自然科学基金资助!( 5982 0 0 0 7)
文摘
在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。
关键词
纳米硅
异质结
二极管
Keywords
nano crystalline silicon
heterojunction
diodes
分类号
TN313.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
聚合物半导体PAn表面场效应管
2
作者
袁仁宽
杨树成
袁宏
江若莲
郑有炓
钱辉作
桂德成
机构
南京大学物理系
南京电子器件研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第12期743-747,共5页
文摘
本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。
关键词
聚合物半导体
场效应晶体管
表面场
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
宽势阱半导体光电器件研究
3
作者
陈钟谋
桂德成
朱健
钱辉作
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期195-199,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 !(编号 :6 92 76 0 2 7)
文摘
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。
关键词
宽势阱
光电器件
半导体
光电探测器
Keywords
wide barrier photoelectric device
minority carriers storehouse
potential barrier
tunnel effect
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米硅异质结二极管
何宇亮
王因生
桂德成
陈堂胜
顾晓春
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000
5
下载PDF
职称材料
2
聚合物半导体PAn表面场效应管
袁仁宽
杨树成
袁宏
江若莲
郑有炓
钱辉作
桂德成
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
下载PDF
职称材料
3
宽势阱半导体光电器件研究
陈钟谋
桂德成
朱健
钱辉作
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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