H（2s）靶（e，2e）三重微分散射截面

采用包含库仑相关的三体近似末志波函数，计算了入射能为２５０ｅＶ、散射角为３°、５°、７°、９°条件下ｅ－＋Ｈ（２ｓ）→Ｈ＋＋２ｅ－共面反对称三重微分散射截面（ＴＤＣＳ），并与三级修正的ＥＢＳ结果进行了比较。结果发现基态Ｈ电离与亚稳态电离特征有很大的差别。

硅原子微扰Rydberg系的光谱特征

本工作利用多组态Hartrss-Fork(MCHF)程序和多通道量子亏损理论(MCQT)互为补充地研究了硅原子3S^23PNd(~3D^0、~1D^0、~1F^0、~3F^0、~3P^0、~1P^0)和3S^23PNS(~3P^0、~1P^0)微扰Rydberg系的光谱特征。对实验中出现有争议的能级位置进行了近似计算,从而在理论上确定了哪种能级结构更为合理。此文中所指的微扰是指3S3P^3(~3D^0、~1D^0、~1F^0、~3F^0、~3P^0)这样一个外来微扰元和各Rydberg系之间的相互作用。

原子束缚—自由非相对论跃迁矩阵元

本文导出了原子束缚—自由非相对论跃迁矩阵元。对由Slater函数轨道表示的原子束缚态K,此矩阵元可以解析地由两个变量的Appell超几何函数F_2表示出来。这个结果广泛应用于处理散射问题之中。

SiⅠ 3s^23pnd ~3D^0、~1D^0、~3F^0、~1F^0、~3P^0微扰Rydberg系的光谱特征

本文利用多组态Hartree-Fork程序计算和讨论一个外来组态3s3p^3对SiⅠ3s^23pnd^3D^0、~1D^0、~3F^0、~1F^0、~3P^0 Rydberg系的微扰作用和光谱特征,对实验中有争议的微扰元位置进行了合理标定,结果表明,一个比较简单的“完全”系微扰近似代表了这些系谱的主要特征。

原子（e，2e）反应中跃迁矩阵元的解析处理方法

提出了一种研究原子（ｅ，２ｅ）反应动力学中跃迁矩阵元的计算方案。通过引入因子１／ｒ１２和ｅ－λｒ的付立叶变换及Ｆｅｙｎｍａｎ参数积分技术，将包括三个库仑波、两粒子相互作用项和原子束缚态轨道波函数的被积函数，在两粒子坐标空间下的六重积分解析地约化为实空间下的二重积分。

SiI3pNs^3P^0、1~P^0J=1奇宇称系高激发态结构MQDT分析

利用HF计算结果确定了硅原子3s^23pNs ~3P^0、~1P^0J=1奇宇称系的MQDT(Multichannel Quantum Defect Theory)基本结构参数,并且根据这些参数获得了这两个系的分离态能级、混合系数和振子强度。结果与已有的实验数据符合得很好。

电子碰撞离化H（1s）末态波函数动量相关效应

考虑电子碰撞离化Ｈ（１ｓ）末态波函数中电子动量相关效应对三重微分散射截面（ＴＤＣＳ）的影响，结果发现在中、高入射能情况下，采用本文提出的电子有效核电荷表达式，ＴＤＣＳ计算结果与实验值符合得非常好。

LiTaO_3晶体高压结构相变的理论研究

利用基于密度泛函理论的平面波赝势结合局域密度近似的从头算方法，计算了LiTaO3晶体在0～200GPa压力范围内的冷压曲线（P—V／V0）和零温焓，以研究它的高压结构相变．参照同构体UNTO3的高压相结构，对LiTaO3的菱形相（R3c对称群，室温大气压结构）和正交相（Pbnm对称群）进行计算．结果表明，菱形相压缩线与低压冲击实验数据和静压结果符合较好，而正交相压缩线与扣除热压贡献的高压冲击实验数据相符；正交相更难压缩且各轴向的压缩率不同，对应的常态密度比菱形相高约24％．理论预测的相变起始压力约为23GPa．由此可见LiTaO3的冲击高压相具有正交对称性，与LiNbO3的室温高压相类似．

石墨烯条带的电子结构与性质:电场及长度效应

在密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TDDFT)的基础上对宽度上含有8个zigzag链的石墨烯条带(8-ZGNR)的基态和激发态的性质进行了理论研究,着重考察了条带长度及电场的影响.B3LYP杂化泛函的计算结果显示:在基态上,8-ZGNR的最低能量态并不具有磁性,随着长度的增加,才会显示出反铁磁的性质.静电场的加入使8-ZGNR显示出反铁磁性和半金属性.在激发态上,诱导电子会随着外激光脉冲的变化而发生移动和变化,但是相比而言,α自旋电子更容易被激发而产生较明显的诱导电子密度,而β自旋电子则更容易脱离外激光场的控制而产生非绝热现象.

H（1s）原子（e，2e）三重微分散射截面

考虑（ｅ，２ｅ）出射电子动量相关效应及交换影响，对Ｈ（１ｓ）原子靶推出了三重微分散射截面（ＴＤＣＳ）明晰表达式。计算了入射电子能量为１５０ｅＶ，电离电子能量分别为３ｅＶ，５ｅＶ，１０ｅＶ情况下共面及非共面ＴＤＣＳ，结果与实验值符合较好。

三氢-苯并吲哚啉方酸染料晶体中电荷转移过程的理论研究

由于具有良好的光化学稳定性、在可见光区和近红外区的强吸光性等优点,方酸类染料是目前最具潜力的小分子有机太阳能电池给体材料之一.然而,其空穴迁移机制并不明确,较低的迁移率限制了器件光电转换效率的提升.结合第一性原理计算、Marcus电子转移理论、主方程模拟,系统研究了三氢-苯并吲哚啉方酸(USQ-BI)染料的电子结构、分子堆积模式以及电荷转移性质.结果表明,由于空穴迁移路径上交替出现两种不同的分子堆积模式,驱动力呈现正负交错的特征,克服正驱动力的过程为空穴迁移的决速步.据此,提出了降低驱动力绝对值以增大迁移率的理论策略.进一步研究发现,在一些位点上引入氰基可以显著提高空穴转移耦合强度,从而提高空穴迁移率.最后,对USQ-BI中电子转移过程的研究发现,由于较大的重组能导致较小的电子转移速率,该晶体不能作为好的电子传输材料.

基于二维材料WX_2构建的范德华异质结的结构和性质及应变效应的理论研究

二维材料过渡金属硫属化物(TMDs),因其优越的物理化学特性及其在光电子器件、光催化等领域的潜在应用价值,得到了人们的广泛关注。基于TMDs材料可以构建具有不同性能的范德华(vdW)异质结,但构建的异质结由于其固有的能带带隙大小限制了其在全光谱上的响应,因而对其能带带隙调控变得十分重要。本文基于第一性原理方法系统地研究了WX_2 (X=S, Se, Te)从单层到体相的结构和性质,以及由此组装的vdW异质结构WS_2/WSe_2、WS_2/WTe_2和WSe_2/WTe_2的结构和性质以及应力应变对异质结构的能带带隙的影响。结果表明:结合HSE06泛函和自旋轨道耦合(SOC)效应的计算方案可以精确描述WX_2体系;异质结构WS_2/WSe_2,WS_2/WTe_2和WSe_2/WTe_2呈现type-II能带分类;在施加单轴或双轴的应力应变后,能带带隙大小发生相应改变,当晶格形变大于4%后,异质结构由半导体特性变成具有金属性。这些研究为光电子器件的设计提供了重要的指导意义。

几个荧光蛋白发色团双光子吸收性质的理论研究（英文）

实验测得的荧光蛋白的单、双光子吸收光谱在低频和高频区域都表现出明显不同的特征。为了揭示这些不同点的起源和研究荧光蛋白的构–效关系,我们详细研究了三种荧光蛋白发色团(一种增强型蓝绿色荧光蛋白的中性发色团和两种红色荧光蛋白的阴离子发色团)的单、双光子吸收特性,分别计算了纯的和振动分辨的电子谱。计算结果表明:光谱线形与计算采用的交换相关密度泛函及谱截面计算所采用的近似关系密切;如果在计算光谱截面时,我们利用长程修正的交换相关泛函CAM-B3LYP来计算几何和电子结构参数,然后把Franck-Condon(FC)效应和包含Herzberg-Teller(HT)效果的电-声耦合效应都考虑进去,理论计算的光谱与实验测定的光谱可以很好地符合;对于两种离子态的发色团,HT电-声耦合效应使得对应于基态到第一激发态跃迁的双光子吸收最强峰相对于单光子吸收的最强峰发生了蓝移,但HT电-声耦合效应对高频的双光子吸收谱没有太大的影响;分子内电荷转移是导致高频区的双光子吸收明显强于单光子吸收的主要原因。

卤素取代改良热激活延迟荧光分子CzDBA性能的理论研究

为获得更高性能的热激活延迟荧光(TADF)材料并认识其潜在机理,以具有良好荧光性能和高外量子效率的CzDBA分子为研究对象,通过卤素(F、Cl、Br)取代其受体单元上不同位点的H原子,设计了一系列新型TADF分子,并从理论上对其性能进行综合评估,计算了从最低三重激发态(T_(1)态)到最低单重激发态(S_(1)态)的逆向系间窜越速率(k_(RISC)).结果表明:Br取代能够显著加快分子的逆向系间窜越过程,其中受体单元上H原子分别被2个Br原子及4个Br原子取代的新型TADF分子的k_(RISC)均较原始的CzDBA分子提升了18倍以上.该工作为实验设计与合成TADF分子提供了可行的思路.

肩关节周围炎的临床观察

陈述了肩关节周围炎的病因 ,通过医者对 3 0例肩关节周围炎患者采用双拇指揉法、肩引伸法、压肩法、滚法和拿法等按摩方法治疗 ,总有效率达 10 0 %。

利用共振拉曼光谱鉴别茶多酚类分子的可行性研究

本文从理论上探究是否可以利用共振拉曼光谱(RRS)来鉴别儿茶素类物质中的4种主要成分:EC,EGC,ECG和EGCG,并研究这些物质的微观结构信息和指纹特征谱.首先通过比较计算和实验测得的常规拉曼光谱确认了分子的构型;然后利用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算了分子的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱,进而利用含时相关函数方法计算了与主要吸收峰对应的RRS,后者计算中其所需的几何和电子结构信息由(TD-)DFT提供.结果显示:虽然EC和EGC、ECG和EGCG二者在结构上仅仅只存在1个酚羟基的差别,但它们的RRS存在明显不同的指纹特征;现实中人们可以用不同频率的激光选择性地激发儿茶素类物质来获得RRS,以期鉴别儿茶素类物质.

Non-Condon效应对电子转移速率影响的理论模拟及其在有机半导体中的应用

随着Condon近似下各种电子转移理论的不断发展与完善和人们对non-Condon效应在电子转移过程中重要作用认识的逐步深入,已建立了几个理论模型来研究这种效应对电子转移速率的影响.本文主要总结了近两年来我们在non-Condon效应电子转移理论方面的工作,首先阐述了指数型、高斯型以及直线型non-Condon电子转移速率的全量子表达式,然后运用该理论模型以及分子动力学模拟计算了二噻吩四硫富瓦烯(DT-TTF)有机半导体的迁移率.此外,还进一步利用数值模拟详细研究了这三种线型的non-Condon效应在量子尺度上对电子转移速率的影响.