全垂直LED芯片RGB超高清显示屏方案研究

在硅衬底上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长氮化镓外延片,经过芯片工艺加工成尺寸在4 mil×4 mil至7 mil×7 mil的蓝绿Mini LED芯片,再匹配普通或反极性红光LED芯片,可以制作全垂直结构LED芯片的超高清全彩显示屏。主要应用在户内外显示、高清娱乐、远程视频会议等场景应用。相较于当前的蓝宝石衬底的蓝绿LED芯片有节省器件空间、生产设备效率高、可靠性好、显示效果优良,可以制作间距在P1.0及以下的超高清显示屏等优点。相同尺寸的垂直结构的mini蓝绿芯片较普通蓝宝石的发光面积要大20%~40%,因蓝宝石的N电极要占用芯片发光区面积,而垂直芯片则没有此项面积损失。

GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析

GaN基高压直流发光二极管工艺制备,采用蓝宝石图形衬底(PSS)外延片制备正梯形芯粒结构的GaN基高压直流LED.相对其他结构器件,该结构器件发光效率最高,封装白光后,在色温4500 K,驱动电流20 mA时,光效116.06 lm/W,对应电压50 V.测试其I-V曲线表明,开启电压为36 V,对应驱动电流为1.5 mA;在电流15 mA至50 mA时,光功率随驱动电流增加近似于线性增加,在此区域光效随电流增加而降低的幅度比较缓慢,表明GaN基高压直流LED适宜于采用大电流密度驱动,而不会出现驱动电流密度增加导致量子效率明显下降(efficiencydroop),为从芯片层面研究解决量子效率下降难题提供了一种新思路.