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电子束曝光技术发展动态
被引量:
12
1
作者
刘明
陈宝钦
+4 位作者
梁俊厚
李友
徐连生
张建宏
张卫红
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期117-120,共4页
电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1~ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用。
关键词
电子束曝光
微细加工
抗蚀剂
下载PDF
职称材料
相移掩模方法及其一维数值模拟
被引量:
1
2
作者
周静
龙品
+3 位作者
刘大禾
徐大雄
陈宝钦
梁俊厚
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1994年第11期24-28,共5页
相移掩模方法是一种新的光刻技术,它可以提高现有光刻设备的分辨率,使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理,用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性,导出了一...
相移掩模方法是一种新的光刻技术,它可以提高现有光刻设备的分辨率,使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理,用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性,导出了一维成象的简化公式,对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。
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关键词
相移掩模
光刻
数值模拟
超大规模
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
电子束曝光技术发展动态
被引量:
12
1
作者
刘明
陈宝钦
梁俊厚
李友
徐连生
张建宏
张卫红
机构
中国科学院微电子中心制版与微细加工实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期117-120,共4页
文摘
电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1~ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用。
关键词
电子束曝光
微细加工
抗蚀剂
Keywords
Electron beam lithography
Micromachining
Photoresist
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
相移掩模方法及其一维数值模拟
被引量:
1
2
作者
周静
龙品
刘大禾
徐大雄
陈宝钦
梁俊厚
机构
北京邮电大学应用科技系
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1994年第11期24-28,共5页
基金
863计划资助项目
文摘
相移掩模方法是一种新的光刻技术,它可以提高现有光刻设备的分辨率,使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理,用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性,导出了一维成象的简化公式,对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。
关键词
相移掩模
光刻
数值模拟
超大规模
集成电路
Keywords
Phase shifting mask,Binary optics,Lithography
分类号
TN470.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子束曝光技术发展动态
刘明
陈宝钦
梁俊厚
李友
徐连生
张建宏
张卫红
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000
12
下载PDF
职称材料
2
相移掩模方法及其一维数值模拟
周静
龙品
刘大禾
徐大雄
陈宝钦
梁俊厚
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1994
1
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职称材料
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