正电子素络合形成研究(英文)

本文讨论了正电子素与在30％(v/v)乙醇—水及20％(v/v)二氧六环—水溶剂中的N—(对位取代苯基)氨基乙酸、N—(间位取代苯基)氨基乙酸间的络合形成。描述了应用BaF_2闪烁记数器的正电子湮没寿命谱仪。藉助于这个新型的正电子湮没寿命谱仪,测量了正电子素与溶液中的氨基乙酸衍生物的络合形成的反应速度常数。结果表明,其反应速度常数值依赖于苯环的共轭效应、取代苯基的诱导效应及溶剂的性质。在反应速度常数与N—取代苯基氨基乙酸的碱性离解常数的负对数值间存在着线性自由能关系。这表明,正电子素与分子的瞬态络合形成很象通常的化学反应,遵守经典的规律。

Ga＿（0．5）In＿（0．5）P外延薄膜的近红外光致发光

在本工作中，首次用近红外光致发光法观察到在ＧａＡｓ衬底上用金属有机化学相沉积方法（ＭＯＣＶＤ）生长的Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜所发射的１．１７、０．９９及０．８５ｅＶ的个新发光峰。其中只有１．１７ｅＶ发射与Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜的部分有序结构有关。实验获得的１．１７ｅＶ发射的变温与变激发强度特性可用受主－施主对复合来很好地给予解释。该受主－施主对系由镓空位作为受主及与其最邻近的镓子格子上的碳作为施主所组成。在考察Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜的部分有序结构与其受主－施主对复合能间关系的基础上，导出了受主－施主对跃迁的新的能量方程。

Ga＿xIn＿（1－X）P外延膜中成份调制对光致发光的影响

通过用一高分辨、微机控制的三晶体ｘ－射线衍射仪来测量Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ外延膜中（１１）与（）衍射峰的积分强度差，定量地确定了有序度。讨论Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ外延膜中有序度与成份调制间的关系。考察了成份调制与施主－受主对复会发光能量间的关联。通过计及施主一受主对在由成份调制所导致的超格子势场中的附加能量，导出了施主一受主对在部分有序相中跃迁时新的能量方程。

在Si上生长的外延GaAs的深能级研究(英文)

本文对在Si衬底上用金属—有机的化学汽相沉积法生长的GaAs外延膜中的1.04eV发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该1.04eV发射可用由V_((As))^((1-))施主及V_((Ga))^((1-))受主所组成的施主—受主对的复合发光来给予很好解释。计及Franck-Condon位移及带隙移动之后,给出了施主—受主对复合发光的新的能量方程。

金属多层膜超晶格结构研究

用高分辨的三晶体X-射线衍射仪测量了Zr、Cu金属交替的多层膜的X-射线小角反射谱。用扩展了的Born-Wolf光学模型对Zr、Cu多层膜的X-射线小角反射数据进行了定量分析。结果表明,该金属多层膜在其生长方向具有超晶格结构。在两层金属膜之间的界面上,由于内扩散,形成了界面交混层,它使X-射线小角反射所产生的高阶Bragg峰的强度减弱。由于两种金属膜的晶格不匹配,使高阶Bragg峰加宽。界面的粗糙度可用来模拟X-射线小角反射曲线的阻尼振荡效应。

在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文)

在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与ＧａＡｓ／Ｓｉ的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的ＧａＡｓ／Ｓｉ样品是用ＭＯＣＶＤ方法生长的，而且具有不同的［Ａｓ］／［Ｇａ］比。利用组态模型，通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化，获得了Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移。考虑了ＧａＡｓ／Ｓｉ的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移及带隙移动，修正了施主－受主对、导带－受主及施主－价带间跃迁的能量关系式，给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及ＧａＡｓ／Ｓｉ外延薄膜发光谱的特征，鉴定出ＧａＡｓ／Ｓｉ中的三个发光峰属施主－受主对复合发光，另外两个发光峰则是由Ａｓ填隙－Ｇａ空位的复合发光中心所产生。

新型固态纳米团簇NaXe在核磁共振中的量子尺寸效应

介绍了从体材料、薄膜(面材料)至量子点材料的发展。讨论了纳米材料中量子尺寸效应的重要意义。在实验中,用Xe离子注入NaCl微晶的方法,获得了尺寸小于80 nm的新型固态纳米团簇NaXe,测得了这种新型纳米材料在核磁共振中化学位移的量子尺寸效应。

GaInP2外延薄膜的成份调制与超结构间的关联

用自制的具有极高分辨率的微机控制的三晶体x-射线衍射仪测量了用MOCVD方法生长的Ga_(0.52)In(0.48)P外延薄膜的超结构。我们发现,在Ga_(0.52)In(0.48)P外延薄膜内由In平面和Ga平面交替组成的(?)平面中,存在着交替的In丰与Ga丰平面。对此,我们定义了有序因子,并首先精确地测定了有序因子值。由此导出了成份调制的表达式。这样,我们就可用成份调制表示式来表达GaInP_2外延薄膜中存在的部分有序相的超结构特征。

核磁共振法测定航空燃油含氢量的研究

采用微型计算机及微处理器控制的核磁共振法,进行测量航空燃油含氢量研究.观测并分析了用射频线圈得到的核磁共振信号的调谐特点,简化了现在类似的测量设备所需的复杂手段.找出了一种能实现快速、方便、精确的测量方法,可作为民航系统普测航空燃油含氢量的有效手段.

GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.

深掺杂Si反常电阻效应微型流量传感器

使用深掺杂方法在 Si材料中掺入金原子后 ,其电阻随温度 T的变化关系由主要依赖于 T- 3/ 2 项的浅掺杂材料变成主要依赖于 exp( -E/ KT)项的深掺杂材料 ,从而大幅度地提高了掺金 Si材料对温度的敏感性 .在理论上深掺杂 Si材料比浅掺杂 Si材料对温度的敏感性提高了约 1 0 0 0倍 .用深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论 .深掺杂 Si材料的应用不但提高了微型流量传感器的灵敏度 ,也大幅度地降低了其时间常数 .

氢化物—原子吸收光谱法测定人发中硒的研究

介绍用ＷＨＧ—１０２Ａ型流动注入氢化物发生器与ＷＦＸ—１Ｅ２型原子吸收分光光度计配合，测定人发中硒（Ｓｅ）。硒的吸收信号为平台吸收曲线。

近五十年云南5月降水特性分析

基于云南36站逐日降水资料,运用趋势分析和Mann-Kendall气候突变检验等方法,研究了近50年云南5月降水及其降水特性的长期趋势和年代际特征。结果表明:5月降水量出现大范围不显著增加趋势,西北部降水增加趋势显著,雨强空间变化是影响5月降水量空间变化的主要原因;5月降水量呈线性增加趋势,增加速率为4mm·(10a)^(-1),雨日和雨强变化均对5月降水量有重要贡献;5月降水量及雨日序列未发生年代际突变,但雨强在1999年前后发生了年代际突变,突变后雨强迅速增强。

金属有机物化学气相沉积GaAs／Si外延层中1．13eV发光带特性研究

用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的１．１３ｅＶ发光带的发光特性，表明此发光带为施主－受主对复合发光．根据１．１３ｅＶ发光带的峰值能量和发光强度随温度和激发强度的变化关系，确定施主和受主的束缚能分别为５和２９５ｍｅＶ，并证实ＧａＡｓ／Ｓｉ外延层中的１．１３ｅＶ发光为硅施主－镓空位受主对的复合发光．

Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．

核磁共振法测定航空燃油含氢量的软件设计

观测并分析了用射频线圈得到的核磁共振信号的特点,注意到两个连续核磁共振峰值高度不同,在磁场上升时的核磁共振峰大于磁场下降时的核磁共振峰.本文对用微型计算机及微处理器控制的核磁共振法测量航空燃油含氢量中的软件进行了讨论,给出了软件流程图.

金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系

本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．

GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜（ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ）．很多文献认为，在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染．我们用高灵敏的ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ４Ｆ型二次离子质谱仪直接测量的结果表明，污染ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ的微量杂质是Ｓｉ，而不是Ｃ．由ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ在１．１７ｅＶ附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主－受主对复合发光．进一步分析表明，施主为处在Ｇａ格位上的Ｓｉ杂质（ＳｉＧａ），受主为Ｇａ空位（ＶＧａ）．

近半个世纪云南持续数年干旱事件时空分布

云南近五十年气候变化趋势与规律研究对于理解和预测区域气候对全球暖化的响应有重要意义.研究基于云南29个气象站点1960-2012年的日降水数据,进行了标准化降水指数(SPI)分析,探讨了过去近五十年云南SPI24的变化趋势,以此确定了三次持续数年的干旱事件,分析了它们的空间演化模式和可能成因.分析结果表明,过去半个多世纪云南降水存在明显的年代际变化规律和变旱变涝趋势;分别在1988-1990年、2004-2007年和2009-2012年经历了三次持续数年的干旱事件.其中1988-1990年和2009-2012年的干旱事件在空间分布模式上表现为以滇南和滇东中部为中心地,向外发展而成覆盖云南大部分的极端干旱;而2004-2007年的干旱区域呈点状分布.在机制方面,持续数年干旱事件可能与大气环流异常持续发展并且受到某一特殊海气模式加持有关.