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基于失效特征的静电损伤分析研究 被引量:5
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作者 何胜宗 季启政 +2 位作者 胡凛 王有亮 梁晓思 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期88-92,共5页
静电放电损伤失效分析是电子制造企业分析产品质量问题和提高产品质量可靠性的难点和关键技术之一。总结梳理生产制造过程中常见的静电源和释放通路,研究元器件静电放电损伤的敏感结构,研究静电放电损伤的失效机理及其典型形貌特征,探... 静电放电损伤失效分析是电子制造企业分析产品质量问题和提高产品质量可靠性的难点和关键技术之一。总结梳理生产制造过程中常见的静电源和释放通路,研究元器件静电放电损伤的敏感结构,研究静电放电损伤的失效机理及其典型形貌特征,探讨静电损伤(ESD)、过电损伤(EOS)和缺陷诱发失效的鉴别方法。最后将这些方法应用在具体的失效案例中,为企业开展静电放电失效分析工作提供一种有效的鉴别分析方法。 展开更多
关键词 失效机理 失效分析 静电放电 电子元器件 红外发射显微镜成像 失效鉴别
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电子元器件和电子设备的ESD试验方法比较 被引量:1
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作者 来萍 邝贤军 梁晓思 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第2期37-42,共6页
主要针对电子元器件和电子设备静电放电试验方法进行了对比分析,包括试验针对的产品对象、依据的试验标准、需要的试验设备以及具体的试验方法和合格判据等。
关键词 静电放电 试验方法 标准 对比
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