重掺锑单晶硅及其掺杂和生长方法

叙述了生长重掺锑单晶硅的必要性、困难性和克服这些困难的方法;还叙述了生长重掺锑单晶硅时固——液界面对晶体生长的影响以及如何获得理想的界面形状。介绍了一些典型的晶体生长参数和掺杂方法;讨论了生长重掺锑单晶硅时的组分过冷以及避免的方法;还讨论了如何提高重掺锑单晶硅的晶体完整性。指出了生长重掺锑单晶硅的关键在于找到形成稳定固——液界面的条件,防止组分过冷的发生。为此,要使用较小的晶体生长速度,在较大的纵向温度梯度热场中生长晶体。此外,应在满足晶体电阻率要求的前提下,尽量使掺入锑量控制在最低限度。

硅吸除技术

本文详细地叙了各种硅吸除技术;阐明了非本征吸除、本征吸除和综合吸除的机理和工艺。举例说明了吸除技术的应用。

90年代半导体硅的发展趋势

９０年代半导体硅的发展趋势周福生，梁李成，刘宜家跨入９０年代，随着微电子产业，信息产业的飞速发展，微细加工技术的不断提高，以ＤＲＡＭ（动态随机存储器）为代表的集成电路几乎以每三年提高四倍的速度飞速增长。预计在２０００年左右，１Ｇｂ（１０２４Ｍｂ）ＤＲ...