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中温制备钛酸钕钙-钛酸钕锂系高介微波陶瓷
被引量:
1
1
作者
郑兴华
陈湘明
梁柄亮
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期5-7,共3页
将温度系数相反的钛酸钕钙(CNT)和钛酸钕锂(LNT)进行复合,中温下(1200℃)烧结获得了εr>100的CNT-LNT微波介质陶瓷。该陶瓷为斜方结构的CaTiO3基固溶体单相。介电常数随x增加先增加后减小,在x=0.5处最大。Q.f值和谐振频率温度系数随...
将温度系数相反的钛酸钕钙(CNT)和钛酸钕锂(LNT)进行复合,中温下(1200℃)烧结获得了εr>100的CNT-LNT微波介质陶瓷。该陶瓷为斜方结构的CaTiO3基固溶体单相。介电常数随x增加先增加后减小,在x=0.5处最大。Q.f值和谐振频率温度系数随LNT含量增加而线性下降。中温下制备了性能良好的CNT-LNT系微波介质陶瓷,如x=0.6时微波性能为:εr=123.9,Q.f=1500GHz,τf=12.0×10–6℃–1。
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关键词
无机非金属材料
微波介质陶瓷
高介电常数
钙钛矿
低温烧结
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职称材料
(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能
2
作者
尹灵峰
郑兴华
+2 位作者
梁柄亮
汤德平
黄爱玉
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期1-3,共3页
通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0~0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)...
通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0~0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。
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关键词
无机非金属材料
固相反应法
钨青铜陶瓷
介电弛豫
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职称材料
题名
中温制备钛酸钕钙-钛酸钕锂系高介微波陶瓷
被引量:
1
1
作者
郑兴华
陈湘明
梁柄亮
机构
福州大学材料学院
浙江大学材料与化工学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期5-7,共3页
基金
国家杰出青年科学基金资助项目(No.50025205)
福州大学校人才基金资助项目(No.XJY-0413)
文摘
将温度系数相反的钛酸钕钙(CNT)和钛酸钕锂(LNT)进行复合,中温下(1200℃)烧结获得了εr>100的CNT-LNT微波介质陶瓷。该陶瓷为斜方结构的CaTiO3基固溶体单相。介电常数随x增加先增加后减小,在x=0.5处最大。Q.f值和谐振频率温度系数随LNT含量增加而线性下降。中温下制备了性能良好的CNT-LNT系微波介质陶瓷,如x=0.6时微波性能为:εr=123.9,Q.f=1500GHz,τf=12.0×10–6℃–1。
关键词
无机非金属材料
微波介质陶瓷
高介电常数
钙钛矿
低温烧结
Keywords
microwave dielectric ceramics
high dielectric constant
perovskites
low temperature sintering
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能
2
作者
尹灵峰
郑兴华
梁柄亮
汤德平
黄爱玉
机构
福州大学材料科学与工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期1-3,共3页
基金
福建省科技重大专项资助项目(No.2005HZ02-3)
福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划资助项目(No.XSJRC2007-16)
文摘
通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0~0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。
关键词
无机非金属材料
固相反应法
钨青铜陶瓷
介电弛豫
Keywords
non-metallic inorganic material
solid state reaction method
tungsten bronze ceramic
dielectric relaxation
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
中温制备钛酸钕钙-钛酸钕锂系高介微波陶瓷
郑兴华
陈湘明
梁柄亮
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
下载PDF
职称材料
2
(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能
尹灵峰
郑兴华
梁柄亮
汤德平
黄爱玉
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
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