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弯月面涂胶及其胶厚均匀性的测量 被引量:2
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作者 林继平 梁榉曦 +4 位作者 刘正坤 王庆博 宝剑光 洪义麟 付绍军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期116-120,共5页
为实现大面积基片的均匀涂胶,设计组装了一台小型弯月面涂胶样机,实验了200mm×200mm基片的涂胶。利用白光干涉光谱仪扫描测量了弯月面涂胶的胶厚分布,其胶厚均匀性峰谷值偏差低于5%。对弯月面涂胶系统引起的均匀度偏差做了初步分... 为实现大面积基片的均匀涂胶,设计组装了一台小型弯月面涂胶样机,实验了200mm×200mm基片的涂胶。利用白光干涉光谱仪扫描测量了弯月面涂胶的胶厚分布,其胶厚均匀性峰谷值偏差低于5%。对弯月面涂胶系统引起的均匀度偏差做了初步分析研究,并对比了测试系统与经校准的台阶仪胶厚测量结果,偏差小于0.8%。 展开更多
关键词 弯月面涂胶 大面积涂胶 白光干涉 胶厚测量 均匀性
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〈111〉晶向标定方法及其在湿法刻蚀硅光栅中的应用 被引量:2
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作者 梁榉曦 郑衍畅 +3 位作者 邱克强 刘正坤 徐向东 洪义麟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-7,共7页
在利用单晶硅的各向异性腐蚀制作光栅的过程中,掩模与硅晶向的精密对准是获取大尺寸光栅结构的前提条件,高对准精度将显著降低光栅槽型侧壁粗糙度。设计并制作了一种扇形图案,通过以该图案为掩模的预刻蚀,可快速准确发现硅基底内晶格取... 在利用单晶硅的各向异性腐蚀制作光栅的过程中,掩模与硅晶向的精密对准是获取大尺寸光栅结构的前提条件,高对准精度将显著降低光栅槽型侧壁粗糙度。设计并制作了一种扇形图案,通过以该图案为掩模的预刻蚀,可快速准确发现硅基底内晶格取向。通过此方法进行晶向标定,并利用紫外光刻与湿法刻蚀,成功研制了尺寸为15mm×15mm、高度为48.3μm、周期为5μm、高宽比为20的矩形光栅结构,线条侧壁粗糙度RMS值为0.404nm;利用全息光刻与湿法刻蚀成功研制了大高宽比深槽矩形光栅及三角形槽光栅。矩形槽光栅尺寸为50mm×60mm,高度为4.8μm,周期为333nm,高宽比为100,侧壁粗糙度RMS值为0.267nm。三角形槽光栅周期为2.5μm,侧壁粗糙度RMS值为0.406nm。 展开更多
关键词 湿法刻蚀 硅光栅 晶向标定 各向导性
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