通过改变氧空位的含量优化氧化镓基阻变存储器的性能

阻变存储器由于其结构简单、运行速度快、功耗低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优点,近年来得到了广泛的应用。本文提出了一种通过氮气退火调控氧空位含量,进而提高非晶氧化镓阻变存储器性能的方法。在磁控溅射的氧化镓阻变存储器中观察到优异的双极电阻开关行为,具有超过10~4的大记忆窗口、长达1500 s的保持时间和10~8的循环次数。X射线光电子能谱表征表明,氮气退火的氧化镓薄膜电阻开关性能的提高是由于更高的氧空位密度。这些结果表明了这种器件在未来高密度非易失性存储器应用中的巨大潜力。

加氢催化剂的应用技术

本文以加氢技术和加氢催化剂作为研究对象,首先对加氢技术的发展和应用进行了叙述,然后又以"加氢催化剂的发展和应用"为题,从多个角度分别展开了讨论。