制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响

用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。

激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究

用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则SiH4温度太低 ,不能裂解。SiH4的流速越快 ,则纳米Si成核后生长期越短 ,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值 ,则SiH4受热时间太短 ,升不到裂解所需的高温。以上 2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H ,344 0cm-1光谱带红移并增强 ,2 15 0cm-1光谱带形状变化 ,110 0cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现 ,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中 ,从低于 30

光栅衍射实验的最小衍射角法

光栅未能严格垂直于入射光放置时将形成误差．光栅放置成其法线与入射光方向的夹角为衍射角的一半时，衍射角为最小值．在最小衍射角的位置上完成光栅衍射实验，可以消去在光栅垂直放置时的１、２阶误差，此外还观察到对实验有利的现象：衍射明纹光强增大和级次增多．

光栅放置误差的消除

做光栅实验时，难以检测光珊是否垂直于入射光放置．不垂直就形成误差．单侧明纹衍射角有一阶误差，双侧同级明纹衍射角的绝对值的平均值，可以消除一阶误差，但仍带二阶偏差．推介最小衍射角法，从多方面提高实验的精确度：（１）消除光栅放置的一、二阶误差；（２）观察到较高级次的明纹，从而减小估读引起的相对误差并提高明纹的角色散率和角分辨率；（３）明纹光强较大，条纹更尖锐，角分辨率更高，角位置读数角精密。

高阶逐差在物理实验中的应用

在光电效应法测普朗克常量的实验中，用３阶逐差确定光电管对各种单色光的伏安特性曲线的抬头点，可以精确到０．０１Ｖ，比作图法或其他方法精确．以此抬头点电压的绝对值作为光电管阴极材料对各种单色光的截止电压，则截止电压对于光照频率的相关因数高达０．９９９９以上，截止电压对于光照频率的线性关系的斜率以及由此斜率算出的普朗克常量，偶然误差仅为１％．可见，高阶逐差是一些物理实验中数据处理的较好方法．

相速和群速

目前,大多数工科物理教学中难以对相速和群速两概念详细论述,但对部分专业却必须明确地将它们区分开来。例如,在研习共用天线电视工程的内容时就必须严格区分相速和群速的概念。本文将按这类专业的需要,阐述电磁波中相速和群速的基本物理概念。

偏转角测量中对称法的应用

偏转角测量中对称法的应用华南建设学院（东院）梁礼正测量偏转角的一类实验包括光束或电子束的偏转、检流计指针或光点的偏转、扭秤的偏转等普通物理和近代物理实验．这些实验中，当被测量符号相反时指示装置如能反向偏转，就可以运用对称偏转法（简称对称法）测量．对称...

QJ23型电桥的灵活运用

ＱＪ２３型电桥的面板上有７个接线柱，接线柱之间如果不接上连接片而连接外电路，则电桥变为检流计、电阻箱、限流电路或标准电阻．它们可以各自或联合运用一些设计性实验中，起到“集成电路”的作用．例如．联合运用到用ＤＣ－Ｉ型电势差计校准１．５ｍＡ安培计的实验．使这个实验接线大大简化。

退火处理对激光诱导化学气相沉积制备纳米硅红外光谱的影响

研究激光诱导化学相沉积（ＬＩＣＶＤ）法制备纳米硅粒子的工艺过程，分析了影响纳米硅形成及尺寸的主要工艺参数，获得了最佳的工艺条件并讨论了退火处理对纳米硅红外光谱各吸收峰的强度。

掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究

本文报道了锡掺杂C6 0 薄膜样品的扫描电镜 ,X射线衍射 ,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果 ;显示样品由纳米级颗粒组成 ,为面心立方结构 ,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级 ,电阻随温度增加呈指数衰减 ,霍耳效应证实为N型半导体。

关于电介质中电场的两个问题

关于电介质中的电场,有两个问题是值得研究的。一是关于E=E_0/ε(r)成立的条件,二是关于D在什么条件下与极化电荷无关。本文着重分析这两个问题。

碳弧法中形成的碳包铁及其化合物纳米晶

用直流碳弧法在阳极石墨棒中加入αFe或αFe2O3产生碳包铁及其化合物纳米晶,研究碳包铁及其化合物纳米晶的形貌,结构特性及穆斯堡尔谱,探讨碳包Fe纳米晶的形成原因.结果表明:在碳弧法中用掺αFe阳极棒时,可产生碳包αFe,渗碳体和奥氏体纳米晶;而用掺αFe2O3阳极棒可产生碳包αFe,渗碳体、奥氏体和γFe2O3纳米晶.

不同惰性气氛及压强对碳纳米管电子自旋共振谱的影响

用直流碳弧法在Ｈｅ气氛和Ａｒ气氛（压强为１０—８０ｋＰａ）下制备碳纳米管，在７７０℃下将阴极沉积物氧化至原重量的１％，得到纯的碳纳米管，测量不同气氛及压强下制备的碳纳米管的室温电子自旋共振（ＥＳＲ）谱，讨论了不同惰性气氛及压强对所制备碳纳米管的直径分布及ＥＳＲ谱线型、ｇ因子。