沟槽栅FS-IGBT HTRB失效的调查分析

IGBT作为功率转换、功率控制的新型器件,已广泛应用于变频空调、电磁炉、电饭煲等产品。鉴于成本压力,在通流能力保持不变的前提下,IGBT将变得更小更薄。工艺上不论是给晶圆代工厂还是封装代工厂,都是极大地挑战。本文主要通过对沟槽栅FS-IGBT芯片封装后,HTRB上机时出现漏电增长的问题进行调查分析,澄清在芯片设计不变的前提下,找出HTRB失效的解决方法。

键合球脱现象的调查分析及质量管控

随着消费类电子产品的普及,集成电路封装产能巨大,这对于封装代工厂来说,既是契机,也是挑战。目前先进封装技术发展迅速,但传统封装出货量仍占主要份额,特别是超声波球压焊技术仍占封装键合工艺的主流。本文主要针对球压焊工艺中出现的球脱现象进行调查分析,解决封装不良导致的测试失效及可靠性不良等问题,并从量产角度上提出质量管控方法。

铝线键合工艺对FS-IGBT器件耐压及漏电特性的影响

随着芯片制造技术的不断发展,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片厚度不断减薄,同时为了增加过电流能力,栅极沟槽密度越来越大。芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战,尤其是铝线键合工艺。本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双极型晶体管(Trench-FSIGBT)的键合技术。通过多次验证实验,深入研究铝线键合工艺对器件耐压及漏电特性的影响,并得出结论:器件的可靠性可以通过键合第一焊点分布、焊线参数及焊线线径大小三个因素来改善。